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4300密度和9400查找表(LUT)的兩個器件

發(fā)布時間:2021/1/30 19:44:15 訪問次數(shù):806

器件的I/O特性支持最新的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I/O,包括可編程轉(zhuǎn)換速率增強性,并支持I3C.MachXO3D系列是基于閃存的PLD器件,具有4300密度和9400查找表(LUT)的兩個器件.

除了基于LUT的可編邏輯,器件還具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進的配置包括片上雙啟動功能和硬化版本如SPI控制器,I2C控制器和計時器/計數(shù)器.

MachXO3D采用65nm非易失低功耗工藝制造.主要用在安全根和信任根,消費類電子,計算機和存儲,無線通信,工業(yè)控制系統(tǒng)和汽車系統(tǒng).

制造商: Mini-Circuits

產(chǎn)品種類: 射頻放大器

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-343-4

類型: Low Noise Amplifier

技術(shù): Si

工作頻率: 0.045 GHz to 6 GHz

P1dB - 壓縮點: 20 dBm

增益: 16 dB

工作電源電壓: 4 V

NF—噪聲系數(shù): 0.6 dB

測試頻率: 2 GHz

OIP3 - 三階截點: 24.4 dBm

工作電源電流: 15 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: SAV

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標(biāo): Mini-Circuits

通道數(shù)量: 1 Channel

Pd-功率耗散: 360 mW

產(chǎn)品類型: RF Amplifier

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

單位重量: 3.018 g


工藝的另一個好處是大大減少了由輻射引起的軟錯誤。由于器 件配置存儲在SRAM 中,因此單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)可能會導(dǎo)致難以恢復(fù)的故障。在這種邏輯密度的器件中,F(xiàn)D-SOI 工藝幾乎可以杜絕 SEU 的發(fā)生。

萊迪思還提供在公司為每位客戶分配特定的部件號,并使用加密密鑰對這些器件進行出廠編程?蛻艨梢允褂迷撁荑以及簽名和加密的位流對器件編程。

由于 Mach-NX 的特殊性,它在 PFR 應(yīng)用中并沒有面臨正面競爭。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

器件的I/O特性支持最新的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I/O,包括可編程轉(zhuǎn)換速率增強性,并支持I3C.MachXO3D系列是基于閃存的PLD器件,具有4300密度和9400查找表(LUT)的兩個器件.

除了基于LUT的可編邏輯,器件還具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進的配置包括片上雙啟動功能和硬化版本如SPI控制器,I2C控制器和計時器/計數(shù)器.

MachXO3D采用65nm非易失低功耗工藝制造.主要用在安全根和信任根,消費類電子,計算機和存儲,無線通信,工業(yè)控制系統(tǒng)和汽車系統(tǒng).

制造商: Mini-Circuits

產(chǎn)品種類: 射頻放大器

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-343-4

類型: Low Noise Amplifier

技術(shù): Si

工作頻率: 0.045 GHz to 6 GHz

P1dB - 壓縮點: 20 dBm

增益: 16 dB

工作電源電壓: 4 V

NF—噪聲系數(shù): 0.6 dB

測試頻率: 2 GHz

OIP3 - 三階截點: 24.4 dBm

工作電源電流: 15 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: SAV

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標(biāo): Mini-Circuits

通道數(shù)量: 1 Channel

Pd-功率耗散: 360 mW

產(chǎn)品類型: RF Amplifier

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

單位重量: 3.018 g


工藝的另一個好處是大大減少了由輻射引起的軟錯誤。由于器 件配置存儲在SRAM 中,因此單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)可能會導(dǎo)致難以恢復(fù)的故障。在這種邏輯密度的器件中,F(xiàn)D-SOI 工藝幾乎可以杜絕 SEU 的發(fā)生。

萊迪思還提供在公司為每位客戶分配特定的部件號,并使用加密密鑰對這些器件進行出廠編程?蛻艨梢允褂迷撁荑以及簽名和加密的位流對器件編程。

由于 Mach-NX 的特殊性,它在 PFR 應(yīng)用中并沒有面臨正面競爭。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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