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強(qiáng)化芯片與PCB鏈接高強(qiáng)固的側(cè)面填充技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 21:57:37 訪問次數(shù):258

緊湊的設(shè)計(jì)使該系列非常適合在空間有限的設(shè)備中同時(shí)使用高電氣和機(jī)械負(fù)載。應(yīng)用領(lǐng)域是IT和電信領(lǐng)域,醫(yī)療技術(shù),辦公和家用設(shè)備以及自動(dòng)化領(lǐng)域。

在任何使用19英寸機(jī)架和一個(gè)高度單位(1 U)的地方。

該系列獲得ENEC和cURus認(rèn)證,分別適用于根據(jù)IEC / EN 60950和60601-1的辦公室和醫(yī)療應(yīng)用。

厚膜電阻器 - SMD

14,399

緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器

4,433

NAND閃存

1,675

諧振器

28,253

信號(hào)調(diào)節(jié)

2,190

低壓差穩(wěn)壓器

4,279

電解電容器 - 徑向引線型

1,663

射頻放大器

7,283

ESD 抑制器/TVS 二極管

11,281

轉(zhuǎn)換 - 電壓電平

4,774

隨著越來越多嵌入式平臺(tái)開始為AI和IoT應(yīng)用提供強(qiáng)大的邊緣計(jì)算能力,F(xiàn)PGA可以更低的功耗提供了更高的性能,相對(duì)于ASIC,為開發(fā)人員提供更大的設(shè)計(jì)彈性。

宜鼎最新應(yīng)用于FPGA的工業(yè)級(jí)DRAM模組的規(guī)格與功能一應(yīng)俱全,包含大容量的單列與雙列產(chǎn)品組合,嚴(yán)守-40–85℃工控寬溫標(biāo)準(zhǔn),以及有效保護(hù)硫化腐蝕的DDR4全產(chǎn)品線抗硫化技術(shù),并透過高強(qiáng)固的側(cè)面填充技術(shù),強(qiáng)化芯片與PCB鏈接,加上HumiSeal敷形涂料確保防塵防污等強(qiáng)固功能。

新品已陸續(xù)導(dǎo)入量測(cè)儀器相關(guān)應(yīng)用市場(chǎng),未來將針對(duì)更多邊緣運(yùn)算應(yīng)用持續(xù)推廣。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

緊湊的設(shè)計(jì)使該系列非常適合在空間有限的設(shè)備中同時(shí)使用高電氣和機(jī)械負(fù)載。應(yīng)用領(lǐng)域是IT和電信領(lǐng)域,醫(yī)療技術(shù),辦公和家用設(shè)備以及自動(dòng)化領(lǐng)域。

在任何使用19英寸機(jī)架和一個(gè)高度單位(1 U)的地方。

該系列獲得ENEC和cURus認(rèn)證,分別適用于根據(jù)IEC / EN 60950和60601-1的辦公室和醫(yī)療應(yīng)用。

厚膜電阻器 - SMD

14,399

緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器

4,433

NAND閃存

1,675

諧振器

28,253

信號(hào)調(diào)節(jié)

2,190

低壓差穩(wěn)壓器

4,279

電解電容器 - 徑向引線型

1,663

射頻放大器

7,283

ESD 抑制器/TVS 二極管

11,281

轉(zhuǎn)換 - 電壓電平

4,774

隨著越來越多嵌入式平臺(tái)開始為AI和IoT應(yīng)用提供強(qiáng)大的邊緣計(jì)算能力,F(xiàn)PGA可以更低的功耗提供了更高的性能,相對(duì)于ASIC,為開發(fā)人員提供更大的設(shè)計(jì)彈性。

宜鼎最新應(yīng)用于FPGA的工業(yè)級(jí)DRAM模組的規(guī)格與功能一應(yīng)俱全,包含大容量的單列與雙列產(chǎn)品組合,嚴(yán)守-40–85℃工控寬溫標(biāo)準(zhǔn),以及有效保護(hù)硫化腐蝕的DDR4全產(chǎn)品線抗硫化技術(shù),并透過高強(qiáng)固的側(cè)面填充技術(shù),強(qiáng)化芯片與PCB鏈接,加上HumiSeal敷形涂料確保防塵防污等強(qiáng)固功能。

新品已陸續(xù)導(dǎo)入量測(cè)儀器相關(guān)應(yīng)用市場(chǎng),未來將針對(duì)更多邊緣運(yùn)算應(yīng)用持續(xù)推廣。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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