以太網(wǎng)加電(PoE)10/100BASE-TX變壓器模塊H1180
發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 22:43:04 訪問次數(shù):778
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進(jìn)的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業(yè)界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴(yán)格限制應(yīng)用的68針FBGA封裝.
所支持的結(jié)構(gòu)有x4,x8和x16.1Gb 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個(gè)受歡迎的DDR速率,其工作時(shí)鐘分別是133MHz到200MHz.
為了在每個(gè)模塊得到最高的存儲(chǔ)器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來(lái)生產(chǎn)4GB注冊(cè)模塊.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:700 V Id-連續(xù)漏極電流:4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.15 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:4.7 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:22.7 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器系列:商標(biāo):Micron 產(chǎn)品類型:DRAM 子類別:Memory & Data Storage
IEEE 802.3af/ANSI X3.263兼容的以太網(wǎng)加電(PoE) 10/100BASE-TX變壓器模塊H1180,H1183和H1197,它們是特別設(shè)計(jì)用于中等范圍的PoE應(yīng)用的.
使用H1180,H1183和H1197能立即對(duì)現(xiàn)有的以太網(wǎng)連接升級(jí)到以太網(wǎng)加電兼容的解決方案,使遙控設(shè)備能在同樣的不屏蔽雙絞線(UTP)電纜上接收功率和數(shù)據(jù).
這些新的中等范圍元件不再需要安裝獨(dú)立的電源線給遙控設(shè)備供電,從而省了時(shí)間,成本和安裝工作.
H1180,H1183和H1197和現(xiàn)有的UTP以太網(wǎng)電纜平行.
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進(jìn)的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業(yè)界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴(yán)格限制應(yīng)用的68針FBGA封裝.
所支持的結(jié)構(gòu)有x4,x8和x16.1Gb 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個(gè)受歡迎的DDR速率,其工作時(shí)鐘分別是133MHz到200MHz.
為了在每個(gè)模塊得到最高的存儲(chǔ)器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來(lái)生產(chǎn)4GB注冊(cè)模塊.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:700 V Id-連續(xù)漏極電流:4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.15 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:4.7 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:22.7 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器系列:商標(biāo):Micron 產(chǎn)品類型:DRAM 子類別:Memory & Data Storage
IEEE 802.3af/ANSI X3.263兼容的以太網(wǎng)加電(PoE) 10/100BASE-TX變壓器模塊H1180,H1183和H1197,它們是特別設(shè)計(jì)用于中等范圍的PoE應(yīng)用的.
使用H1180,H1183和H1197能立即對(duì)現(xiàn)有的以太網(wǎng)連接升級(jí)到以太網(wǎng)加電兼容的解決方案,使遙控設(shè)備能在同樣的不屏蔽雙絞線(UTP)電纜上接收功率和數(shù)據(jù).
這些新的中等范圍元件不再需要安裝獨(dú)立的電源線給遙控設(shè)備供電,從而省了時(shí)間,成本和安裝工作.
H1180,H1183和H1197和現(xiàn)有的UTP以太網(wǎng)電纜平行.
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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