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TDM-IP/以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換功能(CESoP)的網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備

發(fā)布時(shí)間:2021/1/31 23:50:31 訪問(wèn)次數(shù):1029

新的ZL30410的抖動(dòng)性能在同類產(chǎn)品中是最好的，比數(shù)字PLL要低30%。抖動(dòng)是信號(hào)頻率的周期性變化，能引起光網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)誤差。

Zarlink芯片的優(yōu)異性能不用外接元件就能產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)OC-3/STM-1上行鏈接的155.52MHz時(shí)鐘和驅(qū)動(dòng)對(duì)抖動(dòng)敏感的TDM數(shù)字交換機(jī)的16.384MHz時(shí)鐘。

除了OC-3/STM-1鏈接，ZL30410芯片產(chǎn)生所有用在高速接入線路卡的時(shí)鐘，包括19.44MHz時(shí)鐘以及用于ST-BUS, DS1/E1, DS2和DS3/E3的時(shí)鐘。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-563-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:0.5 mm 長(zhǎng)度:1.6 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel MOSFET 寬度:1.2 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 下降時(shí)間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 8000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 零件號(hào)別名:EM6K6 單位重量:3 mg

為了處理日益增長(zhǎng)的IP數(shù)據(jù)通信量,服務(wù)提供商逐步在都市以太網(wǎng)包網(wǎng)絡(luò)上投資,該網(wǎng)絡(luò)一般都有高速IP/以太網(wǎng)連接到用戶端的功能.

變成新型的具有TDM-IP/以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換功能(CESoP)的網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備.這些設(shè)備由于采用較為不貴重的以太網(wǎng)設(shè)備來(lái)傳送高質(zhì)量有利可圖的TDM服務(wù)如出租T1/E1線路等,從而降低成本.

在提供CESoP的主要難點(diǎn)是要得到精密的網(wǎng)絡(luò)同步和所需要的時(shí)鐘,可靠地在可變碼速率的包網(wǎng)絡(luò)上傳送不變的碼速率語(yǔ)音通信量.


(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

新的ZL30410的抖動(dòng)性能在同類產(chǎn)品中是最好的，比數(shù)字PLL要低30%。抖動(dòng)是信號(hào)頻率的周期性變化，能引起光網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)誤差。

Zarlink芯片的優(yōu)異性能不用外接元件就能產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)OC-3/STM-1上行鏈接的155.52MHz時(shí)鐘和驅(qū)動(dòng)對(duì)抖動(dòng)敏感的TDM數(shù)字交換機(jī)的16.384MHz時(shí)鐘。

除了OC-3/STM-1鏈接，ZL30410芯片產(chǎn)生所有用在高速接入線路卡的時(shí)鐘，包括19.44MHz時(shí)鐘以及用于ST-BUS, DS1/E1, DS2和DS3/E3的時(shí)鐘。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-563-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:0.5 mm 長(zhǎng)度:1.6 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel MOSFET 寬度:1.2 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 下降時(shí)間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 8000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 零件號(hào)別名:EM6K6 單位重量:3 mg

為了處理日益增長(zhǎng)的IP數(shù)據(jù)通信量,服務(wù)提供商逐步在都市以太網(wǎng)包網(wǎng)絡(luò)上投資,該網(wǎng)絡(luò)一般都有高速IP/以太網(wǎng)連接到用戶端的功能.

變成新型的具有TDM-IP/以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換功能(CESoP)的網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備.這些設(shè)備由于采用較為不貴重的以太網(wǎng)設(shè)備來(lái)傳送高質(zhì)量有利可圖的TDM服務(wù)如出租T1/E1線路等,從而降低成本.

在提供CESoP的主要難點(diǎn)是要得到精密的網(wǎng)絡(luò)同步和所需要的時(shí)鐘,可靠地在可變碼速率的包網(wǎng)絡(luò)上傳送不變的碼速率語(yǔ)音通信量.


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