StrataFlash無線存儲器芯片空間效率5引腳SOT-23封裝
發(fā)布時間:2021/2/2 8:22:09 訪問次數(shù):348
超低電壓和低電流的看門狗ICEM6323和EM6324,有各種配置以便用在工業(yè),計算和通信領(lǐng)域.EM6323/24的重置閾值在1.31V和4.63V之間,工作電壓在1.5V和5V之間,工作溫度-40°C 到+125°C.
EM6323/24實現(xiàn)了在1.31V閾值,超低2.4uA工作電流和空間效率5引腳SOT-23封裝上的突破性組合.
這種重置和看門狗電路能用來監(jiān)視低功率微處理器,微控制器和數(shù)字系統(tǒng)的電源.EM6323/24用作看門狗,通過發(fā)送合適的重置脈沖,保證MCU在所有時間內(nèi)能工作正常.
總數(shù)16種不用的暫停周期和工廠編程的看門狗和重置功能,保證了終端用戶有最大限度的靈活性.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:18 A Rds On-漏源導通電阻:6.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:17 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標:Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:MOSFET 4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg
高性能代碼部分是多分段的同步突發(fā)模式讀時寫(RWW)或擦除時讀(RWE)Intel StrataFlash無線存儲器芯片,而大容量嵌入數(shù)據(jù)部分是單段異步Intel StrataFlash無線存儲器芯片.
器件的工作電壓為1.8V,代碼閃存部分的初始存取時間為85ns,異步頁讀時間為25ns,同步讀時間為14ns,時鐘頻率為54MHz;數(shù)據(jù)閃存部分的初始存取時間為170ns, 異步頁讀時間為55ns.工作溫度為-25 °C 到 +85 °C.
該器件在單一器件中提供低成本的數(shù)據(jù)存儲,代碼和RAM.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
超低電壓和低電流的看門狗ICEM6323和EM6324,有各種配置以便用在工業(yè),計算和通信領(lǐng)域.EM6323/24的重置閾值在1.31V和4.63V之間,工作電壓在1.5V和5V之間,工作溫度-40°C 到+125°C.
EM6323/24實現(xiàn)了在1.31V閾值,超低2.4uA工作電流和空間效率5引腳SOT-23封裝上的突破性組合.
這種重置和看門狗電路能用來監(jiān)視低功率微處理器,微控制器和數(shù)字系統(tǒng)的電源.EM6323/24用作看門狗,通過發(fā)送合適的重置脈沖,保證MCU在所有時間內(nèi)能工作正常.
總數(shù)16種不用的暫停周期和工廠編程的看門狗和重置功能,保證了終端用戶有最大限度的靈活性.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:18 A Rds On-漏源導通電阻:6.8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:17 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標:Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:MOSFET 4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg
高性能代碼部分是多分段的同步突發(fā)模式讀時寫(RWW)或擦除時讀(RWE)Intel StrataFlash無線存儲器芯片,而大容量嵌入數(shù)據(jù)部分是單段異步Intel StrataFlash無線存儲器芯片.
器件的工作電壓為1.8V,代碼閃存部分的初始存取時間為85ns,異步頁讀時間為25ns,同步讀時間為14ns,時鐘頻率為54MHz;數(shù)據(jù)閃存部分的初始存取時間為170ns, 異步頁讀時間為55ns.工作溫度為-25 °C 到 +85 °C.
該器件在單一器件中提供低成本的數(shù)據(jù)存儲,代碼和RAM.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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