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K8T800芯片組的結構和技術限制了集成方法

發(fā)布時間:2021/2/6 0:37:12 訪問次數:591

VIA K8M800也采用K8T800芯片組的結構和技術,并有新的UniChrome Pro

IGP的特性和革命性的低功耗設計,最小化熱的產生.低功耗低熱設計鼓勵了創(chuàng)新的小尺寸設備以及基于AMD Athlon 64處理器的臺式PC的新一代設計.

VIA的Hyper8技術能在處理器和芯片組間提供業(yè)界最快的16位/1.6GHz超傳輸連接,使基于AMD Athlon 64和Opteron處理器的系統能最大限度地發(fā)揮全部潛能.


制造商:Diodes Incorporated 產品種類:二極管 - 通用,功率,開關 產品:Switching Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 峰值反向電壓:300 V 最大浪涌電流:4 A If - 正向電流:225 mA 配置:Dual 恢復時間:50 ns Vf - 正向電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1 mm 長度:3.05 mm 類型:High Voltage Surface Mount Switching Diode 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 產品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:8 mg

用這種技術所制造的存儲器單元有很好的可靠性數據.第一次的數據保存時間超過一年,而且它的尺寸可小于20nm.這種有機存儲材料是很吸引人的非揮發(fā)性存儲器的侯選材料.

新聚合物材料具有創(chuàng)新的DRAM集成概念.傳統的硅集成是基于少數幾種材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.

采用140nm規(guī)則所制造的256M DDR DRAM測試樣品表明有高的成品率.更進一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


VIA K8M800也采用K8T800芯片組的結構和技術,并有新的UniChrome Pro

IGP的特性和革命性的低功耗設計,最小化熱的產生.低功耗低熱設計鼓勵了創(chuàng)新的小尺寸設備以及基于AMD Athlon 64處理器的臺式PC的新一代設計.

VIA的Hyper8技術能在處理器和芯片組間提供業(yè)界最快的16位/1.6GHz超傳輸連接,使基于AMD Athlon 64和Opteron處理器的系統能最大限度地發(fā)揮全部潛能.


制造商:Diodes Incorporated 產品種類:二極管 - 通用,功率,開關 產品:Switching Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 峰值反向電壓:300 V 最大浪涌電流:4 A If - 正向電流:225 mA 配置:Dual 恢復時間:50 ns Vf - 正向電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1 mm 長度:3.05 mm 類型:High Voltage Surface Mount Switching Diode 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 產品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:8 mg

用這種技術所制造的存儲器單元有很好的可靠性數據.第一次的數據保存時間超過一年,而且它的尺寸可小于20nm.這種有機存儲材料是很吸引人的非揮發(fā)性存儲器的侯選材料.

新聚合物材料具有創(chuàng)新的DRAM集成概念.傳統的硅集成是基于少數幾種材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.

采用140nm規(guī)則所制造的256M DDR DRAM測試樣品表明有高的成品率.更進一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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