ISL6537和ISL6506有無與倫比集成度的調(diào)整器,能調(diào)節(jié)6個(gè)主板電壓:DDR存儲(chǔ)器核,DDR終端,芯片組核,5V(雙),3.3V(雙)以及CPU總線終端電壓.

這些IC能單獨(dú)使用,兩個(gè)作為1組,有最高的性能改進(jìn),節(jié)省了空間和成本.ISL6506是ISL6537的補(bǔ)充,提供5V(雙),用于下變換到DDR和和其它電壓.

它是完整的ACPI兼容的電源解決方案,用在多達(dá)4個(gè)雙列直插存儲(chǔ)器模塊(DIMM)雙通道DDR/DDR2存儲(chǔ)器系統(tǒng).

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:38.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:21.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:3.3 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.3 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:54 S 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:463.221 mg

新轉(zhuǎn)換器采用了ADI公司最好的技術(shù),包括有:

業(yè)界最快的12位同時(shí)取樣的逐次逼近(SAR)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),具有2MSPS的吞吐量,功耗比同類產(chǎn)品的小一半.

業(yè)界首個(gè)絕緣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器,采用ADI獲獎(jiǎng)的iCoupler數(shù)字絕緣技術(shù),能以更低的功耗提供更高速度和精度.完整的數(shù)字轉(zhuǎn)換分解器提供速度,精度和功能的最好組合.

AD7266是業(yè)界最快的同時(shí)取樣雙通道12位SAR ADC,有極快的回路設(shè)定時(shí)間,吞吐量速率高達(dá)2MSPS.

模擬輸入結(jié)構(gòu)與信號(hào)范圍和眾多的已出貨的光學(xué)編碼器接口,提供低成本高精度的解決方案.

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