7x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C
發(fā)布時(shí)間:2021/2/8 22:49:31 訪問次數(shù):261
ATmega48芯片具有4KB內(nèi)部Flash和512字節(jié)的片內(nèi)SRAM,軟件實(shí)現(xiàn)需考慮資源分配問題,特別是SRAM使用情況。
由于程序涉及串口通信、DTMF通信和FSK通信3種情況,理論上需要開辟6個(gè)緩沖區(qū)。如果這樣,每一個(gè)緩沖區(qū)的大小顯然不能確保達(dá)到實(shí)際通信數(shù)據(jù)量的需求。
結(jié)合FSK通信特點(diǎn),DTMF數(shù)據(jù)傳輸與FSK數(shù)據(jù)傳輸不可能同時(shí)發(fā)生,因此FSK與DTMF可共用相同緩沖區(qū)。同樣串口接收與FSK發(fā)送、串口發(fā)送.
核心處理器ARM® Cortex®-M0內(nèi)核規(guī)格32-位速度72MHz連接能力CANbus,I2C,IrDA,LINbus,智能卡,SPI,UART/USART外設(shè)欠壓檢測/復(fù)位,DMA,I2S,LVD,POR,PS2,PWM,WDTI/O 數(shù)35程序存儲容量64KB(64K x 8)程序存儲器類型閃存EEPROM 容量4K x 8RAM 大小8K x 8電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 7x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C(TA)安裝類型表面貼裝型封裝/外殼48-LQFP供應(yīng)商器件封裝48-LQFP(7x7)
由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間,ATmega48的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1MIPs/MHz,運(yùn)行速度比普通的單片機(jī)高出10倍,從而可以緩解系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。
FSK接收都不會同時(shí)發(fā)生,這樣通信只需要開辟兩個(gè)緩沖區(qū)就可以確保模塊正常通信,考慮實(shí)際業(yè)務(wù)平臺數(shù)據(jù)量情況,軟件設(shè)計(jì)中為FSK接收開辟255字節(jié)緩沖區(qū)復(fù)用;FSK發(fā)送開辟45字節(jié)緩沖區(qū)復(fù)用。
ATmega48芯片具有4KB內(nèi)部Flash和512字節(jié)的片內(nèi)SRAM,軟件實(shí)現(xiàn)需考慮資源分配問題,特別是SRAM使用情況。
由于程序涉及串口通信、DTMF通信和FSK通信3種情況,理論上需要開辟6個(gè)緩沖區(qū)。如果這樣,每一個(gè)緩沖區(qū)的大小顯然不能確保達(dá)到實(shí)際通信數(shù)據(jù)量的需求。
結(jié)合FSK通信特點(diǎn),DTMF數(shù)據(jù)傳輸與FSK數(shù)據(jù)傳輸不可能同時(shí)發(fā)生,因此FSK與DTMF可共用相同緩沖區(qū)。同樣串口接收與FSK發(fā)送、串口發(fā)送.
核心處理器ARM® Cortex®-M0內(nèi)核規(guī)格32-位速度72MHz連接能力CANbus,I2C,IrDA,LINbus,智能卡,SPI,UART/USART外設(shè)欠壓檢測/復(fù)位,DMA,I2S,LVD,POR,PS2,PWM,WDTI/O 數(shù)35程序存儲容量64KB(64K x 8)程序存儲器類型閃存EEPROM 容量4K x 8RAM 大小8K x 8電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 7x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C(TA)安裝類型表面貼裝型封裝/外殼48-LQFP供應(yīng)商器件封裝48-LQFP(7x7)
由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間,ATmega48的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1MIPs/MHz,運(yùn)行速度比普通的單片機(jī)高出10倍,從而可以緩解系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。
FSK接收都不會同時(shí)發(fā)生,這樣通信只需要開辟兩個(gè)緩沖區(qū)就可以確保模塊正常通信,考慮實(shí)際業(yè)務(wù)平臺數(shù)據(jù)量情況,軟件設(shè)計(jì)中為FSK接收開辟255字節(jié)緩沖區(qū)復(fù)用;FSK發(fā)送開辟45字節(jié)緩沖區(qū)復(fù)用。
熱門點(diǎn)擊
- 嵌入式晶圓級球柵陣列(eWLB)封裝功耗低于
- AES/EBU接口接收數(shù)字音頻采用取樣速率轉(zhuǎn)
- -2.5V到+5V的電池和母線電壓范圍在65
- 25A 1200V制動IGBT二極管和NTC
- DRV104能設(shè)定關(guān)閉需要大電流的電磁線圈驅(qū)
- 過流關(guān)斷保護(hù)是可編程的能根據(jù)負(fù)載或應(yīng)用的要求
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推薦技術(shù)資料
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