當(dāng)電氣設(shè)備受干擾產(chǎn)生最高電流或受到雷擊時(shí)，浪涌保護(hù)器既能及時(shí)導(dǎo)通分流，還能迅速將電流泄入大地，保護(hù)設(shè)備不受雷擊。

設(shè)備大小的值是dV/dt。測(cè)量的是使設(shè)備啟動(dòng)的最小電壓變化率。因?yàn)榈蚫V/dt意味著設(shè)備會(huì)在不適當(dāng)?shù)臅r(shí)候打開。

針對(duì)2kv到4kv之間的電涌進(jìn)行防范的。雖然這些價(jià)值反映了大多數(shù)用例，但許多人覺得它們已經(jīng)不夠了，特別是對(duì)于工業(yè)或高端設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:190 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:325 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 商標(biāo):Nexperia 下降時(shí)間:5 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:7 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns 典型接通延遲時(shí)間:6 ns 零件號(hào)別名:934066291215 單位重量:32 mg

晶閘管能夠提高其浪涌保護(hù)的魯棒性，其中如何確定組件的尺寸至關(guān)重要。

晶閘管在漏電保護(hù)器中的作用,當(dāng)電氣設(shè)備發(fā)生漏電時(shí)，出現(xiàn)兩種異常現(xiàn)象：

三相電流的平衡遭到破壞，出現(xiàn)零序電流；

正常時(shí)不帶電的金屬外殼出現(xiàn)對(duì)地電壓（正常時(shí)，金屬外殼與大地均為零電位）。

漏電保護(hù)器的工作原理：交流脫扣式產(chǎn)品脫扣功率大些，額定動(dòng)作時(shí)間略快些，且脫扣(跳閘)迅速、利索。

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