BR24H-5AC系列降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異
發(fā)布時(shí)間:2021/2/11 18:44:31 訪問次數(shù):193
“BR24H-5AC系列”通過降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異,并充分發(fā)揮存儲(chǔ)性能,采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù),實(shí)現(xiàn)了以下四大特點(diǎn),有助于提高電氣系統(tǒng)效率。
支持I2C總線, 3.5ms超快寫入速度,使電子設(shè)備出廠前的初始寫入時(shí)間減少30%
作為支持I2C總線和125℃的EEPROM,BR24H-5AC系列”實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入。相比普通產(chǎn)品5ms的寫入速度,寫入時(shí)間可減少30%,因此有助于減少電子設(shè)備出廠前的EEPROM初始寫入時(shí)間,并可以提高應(yīng)急數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)的可靠性。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:3 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:934003470215 單位重量:25 mg
ROHM致力于開發(fā)獨(dú)具特色且可靠性高的存儲(chǔ)單元,并為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品,在車載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品各領(lǐng)域獲得了高度好評(píng)。
采用ROHM自有的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù)、實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入、支持125℃工作的EEPROM。與普通產(chǎn)品5ms的寫入速度相比,寫入時(shí)間可以減少30%。
在電子設(shè)備的制造過程中,對(duì)10萬臺(tái)產(chǎn)品進(jìn)行256Kbit的初始數(shù)據(jù)寫入(512次寫入處理)的情況下,工廠生產(chǎn)線占用時(shí)間可減少約1天。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
“BR24H-5AC系列”通過降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異,并充分發(fā)揮存儲(chǔ)性能,采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù),實(shí)現(xiàn)了以下四大特點(diǎn),有助于提高電氣系統(tǒng)效率。
支持I2C總線, 3.5ms超快寫入速度,使電子設(shè)備出廠前的初始寫入時(shí)間減少30%
作為支持I2C總線和125℃的EEPROM,BR24H-5AC系列”實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入。相比普通產(chǎn)品5ms的寫入速度,寫入時(shí)間可減少30%,因此有助于減少電子設(shè)備出廠前的EEPROM初始寫入時(shí)間,并可以提高應(yīng)急數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)的可靠性。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:3 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:934003470215 單位重量:25 mg
ROHM致力于開發(fā)獨(dú)具特色且可靠性高的存儲(chǔ)單元,并為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品,在車載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品各領(lǐng)域獲得了高度好評(píng)。
采用ROHM自有的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù)、實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入、支持125℃工作的EEPROM。與普通產(chǎn)品5ms的寫入速度相比,寫入時(shí)間可以減少30%。
在電子設(shè)備的制造過程中,對(duì)10萬臺(tái)產(chǎn)品進(jìn)行256Kbit的初始數(shù)據(jù)寫入(512次寫入處理)的情況下,工廠生產(chǎn)線占用時(shí)間可減少約1天。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 2.48 x 2.46mm的晶圓級(jí)芯片規(guī)模封
- CSA37F62-LQFP48高性能信號(hào)鏈M
- 光纖通道存儲(chǔ)局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率電磁兼容(E
- 8M像素的全分辨率實(shí)現(xiàn)10位231fps和1
- 高電子遷移率晶體管SmartEnviro產(chǎn)品
- 升壓轉(zhuǎn)換器(VBOOST)的輸出電壓5-18
- 802.11g和混合模式(802.11a,b
- 3A低壓降(LDO)調(diào)整器和兩個(gè)LDO控制器
- MOSFET在低效率或危險(xiǎn)條件下工作的高低邊
- 傾角傳感器MEMS傳感元件與濾波功能
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 100A全集成電源模塊R
- Teseo-VIC6A GNSS車用精準(zhǔn)定位
- 高效先進(jìn)封裝工藝
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (Analog-to-Digit
- 集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
- 128 通道20 位電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器̴
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究