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BR24H-5AC系列降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異

發(fā)布時(shí)間:2021/2/11 18:44:31 訪問次數(shù):193

“BR24H-5AC系列”通過降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異,并充分發(fā)揮存儲(chǔ)性能,采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù),實(shí)現(xiàn)了以下四大特點(diǎn),有助于提高電氣系統(tǒng)效率。

支持I2C總線, 3.5ms超快寫入速度,使電子設(shè)備出廠前的初始寫入時(shí)間減少30%

作為支持I2C總線和125℃的EEPROM,BR24H-5AC系列”實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入。相比普通產(chǎn)品5ms的寫入速度,寫入時(shí)間可減少30%,因此有助于減少電子設(shè)備出廠前的EEPROM初始寫入時(shí)間,并可以提高應(yīng)急數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)的可靠性。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:3 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:934003470215 單位重量:25 mg

ROHM致力于開發(fā)獨(dú)具特色且可靠性高的存儲(chǔ)單元,并為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品,在車載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品各領(lǐng)域獲得了高度好評(píng)。

采用ROHM自有的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù)、實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入、支持125℃工作的EEPROM。與普通產(chǎn)品5ms的寫入速度相比,寫入時(shí)間可以減少30%。

在電子設(shè)備的制造過程中,對(duì)10萬臺(tái)產(chǎn)品進(jìn)行256Kbit的初始數(shù)據(jù)寫入(512次寫入處理)的情況下,工廠生產(chǎn)線占用時(shí)間可減少約1天。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

“BR24H-5AC系列”通過降低對(duì)存儲(chǔ)單元特性方面的制造差異,并充分發(fā)揮存儲(chǔ)性能,采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù),實(shí)現(xiàn)了以下四大特點(diǎn),有助于提高電氣系統(tǒng)效率。

支持I2C總線, 3.5ms超快寫入速度,使電子設(shè)備出廠前的初始寫入時(shí)間減少30%

作為支持I2C總線和125℃的EEPROM,BR24H-5AC系列”實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入。相比普通產(chǎn)品5ms的寫入速度,寫入時(shí)間可減少30%,因此有助于減少電子設(shè)備出廠前的EEPROM初始寫入時(shí)間,并可以提高應(yīng)急數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)的可靠性。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:3 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:934003470215 單位重量:25 mg

ROHM致力于開發(fā)獨(dú)具特色且可靠性高的存儲(chǔ)單元,并為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品,在車載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品各領(lǐng)域獲得了高度好評(píng)。

采用ROHM自有的數(shù)據(jù)寫入/讀取電路技術(shù)、實(shí)現(xiàn)了3.5ms(毫秒)的高速寫入、支持125℃工作的EEPROM。與普通產(chǎn)品5ms的寫入速度相比,寫入時(shí)間可以減少30%。

在電子設(shè)備的制造過程中,對(duì)10萬臺(tái)產(chǎn)品進(jìn)行256Kbit的初始數(shù)據(jù)寫入(512次寫入處理)的情況下,工廠生產(chǎn)線占用時(shí)間可減少約1天。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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