ROHM將持續(xù)擴充封裝陣容，以支持更廣泛的應用。

計劃推進車載級產(chǎn)品的開發(fā)。隨著人們利用網(wǎng)絡的“云端”工作模式和生活模式的快速發(fā)展，需要進一步豐富適用于需求日益擴大的數(shù)據(jù)中心服務器以及5G基站的產(chǎn)品陣容。

ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎(chǔ)上，還將持續(xù)推進更高效率的Nch MOSFET*2開發(fā)工作，為減少應用產(chǎn)品的設計工時并提高可靠性和效率做出貢獻。

ROHM采用第五代微米工藝，成功開發(fā)出可支持24V輸入、－40V/－60V耐壓的低導通電阻Pch MOSFET。

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制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 參考類型:Series References 輸出電壓:1.25 V 初始準確度:0.2 % 溫度系數(shù):75 PPM/C 串聯(lián)VREF—輸入電壓—最大值:5.5 V 分流電流—最大值:25 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 準確性:100 uV/mA 高度:1 mm 長度:2.92 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 產(chǎn)品:Voltage References 寬度:1.3 mm 商標:Texas Instruments 電源電流—最大值:50 uA 拓撲結(jié)構(gòu):Series References 工作電源電流:42 uA 產(chǎn)品類型:Voltage References 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:11.200 mg

ROHM第五代微米工藝技術(shù)，使柵極溝槽結(jié)構(gòu)*4較ROHM以往產(chǎn)品更為細致精密，并提高了電流密度，從而在支持24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領(lǐng)域中，實現(xiàn)了極為出色的單位面積低導通電阻。－40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低62%，－60V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低52%，非常有助于應用設備的節(jié)能性與小型化。

新產(chǎn)品充分運用了迄今為止積累的可靠性相關(guān)的技術(shù)經(jīng)驗和訣竅，優(yōu)化了元件結(jié)構(gòu)，同時采用新設計，改善了最容易產(chǎn)生電場集中問題的柵極溝槽部分的電場分布，實現(xiàn)了品質(zhì)的大幅度提升。

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