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電阻任意的設(shè)置從Verf(2.5V)到36V范圍內(nèi)的任何值

發(fā)布時間:2021/2/13 18:31:49 訪問次數(shù):578

TL431是一個有良好的熱穩(wěn)定性能的三端可調(diào)分流基準(zhǔn)源。

它的輸出電壓用兩個電阻就可以任意的設(shè)置到從Verf(2.5V)到36V范圍內(nèi)的任何值。該器件的典型動態(tài)阻抗為0.2Ω,在很多應(yīng)用中用它代替齊納二極管,例如,數(shù)字電壓表,運(yùn)放電路,可調(diào)壓電源,開關(guān)電源等。

它是一種并聯(lián)穩(wěn)壓集成電路。因其性能好、價格低,因此廣泛應(yīng)用在各種電源電路中。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-78 系列:MT41K 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1440 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.366 g

外接PNP晶體管的選用,外接的PNP晶體管的電流放大系數(shù)hfe、功耗Pd及最大集電極電流Icm必須滿足電源的要求。

電源的最大負(fù)載電流ILmax=10×hfemin;晶體管的額定功率應(yīng)大于電源使用時的實(shí)際功耗,即額定功耗Pd>ILmax×(V1max-V0.

晶體管的集電極最大輸出電流應(yīng)超過電源最大輸出電流,式中,V1max為輸入最大電壓,V0為輸出電壓。偏置電流的限制,在BASE(7)與BLIM(6)之間可接電阻Rb來限制晶體管的偏置電流,用以控制最大的電源輸出電流。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

TL431是一個有良好的熱穩(wěn)定性能的三端可調(diào)分流基準(zhǔn)源。

它的輸出電壓用兩個電阻就可以任意的設(shè)置到從Verf(2.5V)到36V范圍內(nèi)的任何值。該器件的典型動態(tài)阻抗為0.2Ω,在很多應(yīng)用中用它代替齊納二極管,例如,數(shù)字電壓表,運(yùn)放電路,可調(diào)壓電源,開關(guān)電源等。

它是一種并聯(lián)穩(wěn)壓集成電路。因其性能好、價格低,因此廣泛應(yīng)用在各種電源電路中。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-78 系列:MT41K 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1440 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.366 g

外接PNP晶體管的選用,外接的PNP晶體管的電流放大系數(shù)hfe、功耗Pd及最大集電極電流Icm必須滿足電源的要求。

電源的最大負(fù)載電流ILmax=10×hfemin;晶體管的額定功率應(yīng)大于電源使用時的實(shí)際功耗,即額定功耗Pd>ILmax×(V1max-V0.

晶體管的集電極最大輸出電流應(yīng)超過電源最大輸出電流,式中,V1max為輸入最大電壓,V0為輸出電壓。偏置電流的限制,在BASE(7)與BLIM(6)之間可接電阻Rb來限制晶體管的偏置電流,用以控制最大的電源輸出電流。

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