模塊化電容器有很多優(yōu)勢(shì)，主要包括體積小、成本低、標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)、低雜散電感，以及高電流和能量密度。此外，ModCap 還采用適合當(dāng)前 SiC/IGBT 電源模塊的智能機(jī)械設(shè)計(jì)，為業(yè)內(nèi)帶來(lái)最接近“即插即用”的應(yīng)用體驗(yàn)。

作為一種標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，ModCap 滿(mǎn)足 EN 45545-2、IEC 61071、IEC61881-1 和 UL 等多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

我們交付的所有產(chǎn)品均經(jīng)過(guò)全面測(cè)試驗(yàn)證，并隨附所有必要的文檔。

制造商: Microchip

產(chǎn)品種類(lèi): 8位微控制器 -MCU

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: PIC18(L)F2xK40

封裝 / 箱體: SOIC-28

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標(biāo): Microchip Technology

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類(lèi)型: 8-bit Microcontrollers - MCU

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 1600

子類(lèi)別: Microcontrollers - MCU

商標(biāo)名: PIC

單位重量: 1.364 g

在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類(lèi)信號(hào)也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng)，讓信號(hào)傳輸更加純凈。

DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個(gè)Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪(fǎng)問(wèn)延遲，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁(yè)面同時(shí)被打開(kāi)。