Renesas Electronics RA6M4 32位微控制器,Renesas RA6M4微控制器擁有采用Arm TrustZone®技術(shù)的200 MHz Arm® Cortex®-M33內(nèi)核，可為應(yīng)用提供先進的性能以及卓越的安全性和連接性。

ams TMD2755接近傳感器模塊,ams TMD2755接近傳感器模塊在窄小輕薄的封裝中整合了低功耗VCSEL 發(fā)射器（帶集成式驅(qū)動器）、IR光電探測器以及環(huán)境光傳感器。

Amphenol Air LB圓形軍規(guī)連接器,mphenol Air LB圓形軍規(guī)連接器能夠滿足軍事、航空航天以及工業(yè)應(yīng)用要求。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:U-DFN3030-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A Rds On-漏源導通電阻:17 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV Qg-柵極電荷:8.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列:DMG8601 晶體管類型:2 N-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:234 ns, 234 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:78 ns, 78 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:562 ns, 562 ns 典型接通延遲時間:53 ns, 53 ns 單位重量:12 mg  

除了集成電機驅(qū)動器外，新一代產(chǎn)品還擴充了 I/O 能力，并采用雙微控制器架構(gòu)，一個內(nèi)核專門用于通信，另一個微控制器用于運行應(yīng)用軟件。

MLX81330 和 MLX81332 采用“全集成”LIN 從機設(shè)計方法，可降低物料清單 (BOM) 成本、減小 PCB 尺寸、簡化生產(chǎn)設(shè)計、加快組裝速度。

MLX81332 直接與 ECU 對接，最多可驅(qū)動一個電機的四個相位，每個相位最大電流為 1 A，或者驅(qū)動兩個相位，最大電流為 1.4 A。

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