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5G與WiFi高速滾降和高抑制對(duì)濾波器技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/3/24 19:51:11 訪問次數(shù):333

nMCP(NAND-based MCP)系列產(chǎn)品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量組合。nMCP已然成為急劇增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴市場(chǎng)所需的理想存儲(chǔ)方案。

隨著物聯(lián)的廣泛應(yīng)用,nMCP系列產(chǎn)品的市場(chǎng)需求越來越大,2Gb+1Gb、1Gb+1Gb的容量組合也在近期應(yīng)運(yùn)而生。

從行業(yè)客戶的角度上來說,不僅能夠節(jié)省PCB空間,還能減少BOM表上元器件的采購(gòu)成本,進(jìn)而降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續(xù)漏極電流:15.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Qg-柵極電荷:33.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:MDmesh 封裝:Tube 配置:Single 系列:STF15NM65N 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:26 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80 ns 典型接通延遲時(shí)間:25 ns 單位重量:330 mg

對(duì)于傳統(tǒng)的濾波器技術(shù),無論是寬帶濾波器(SPD/LTCC)還是窄帶濾波器(SAW/FBAR/BAW),均無法同時(shí)滿足大帶寬和高抑制的性能要求。

5G與WiFi等制式的生態(tài)共存對(duì)濾波器技術(shù)提出了新要求,例如5G n79(4400MHz-5000MHz)和WiFi(5150MHz-5850MHz)頻帶.

各自擁有超過600MHz以上的大帶寬,且過渡帶間隔只有150MHz,兩個(gè)制式如需同時(shí)工作且不發(fā)生相互干擾,不僅要濾波器實(shí)現(xiàn)超大帶寬,也同時(shí)需要高速滾降和高抑制,傳統(tǒng)濾波器技術(shù)均無法實(shí)現(xiàn)。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)



nMCP(NAND-based MCP)系列產(chǎn)品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量組合。nMCP已然成為急劇增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴市場(chǎng)所需的理想存儲(chǔ)方案。

隨著物聯(lián)的廣泛應(yīng)用,nMCP系列產(chǎn)品的市場(chǎng)需求越來越大,2Gb+1Gb、1Gb+1Gb的容量組合也在近期應(yīng)運(yùn)而生。

從行業(yè)客戶的角度上來說,不僅能夠節(jié)省PCB空間,還能減少BOM表上元器件的采購(gòu)成本,進(jìn)而降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續(xù)漏極電流:15.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Qg-柵極電荷:33.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:MDmesh 封裝:Tube 配置:Single 系列:STF15NM65N 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:26 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80 ns 典型接通延遲時(shí)間:25 ns 單位重量:330 mg

對(duì)于傳統(tǒng)的濾波器技術(shù),無論是寬帶濾波器(SPD/LTCC)還是窄帶濾波器(SAW/FBAR/BAW),均無法同時(shí)滿足大帶寬和高抑制的性能要求。

5G與WiFi等制式的生態(tài)共存對(duì)濾波器技術(shù)提出了新要求,例如5G n79(4400MHz-5000MHz)和WiFi(5150MHz-5850MHz)頻帶.

各自擁有超過600MHz以上的大帶寬,且過渡帶間隔只有150MHz,兩個(gè)制式如需同時(shí)工作且不發(fā)生相互干擾,不僅要濾波器實(shí)現(xiàn)超大帶寬,也同時(shí)需要高速滾降和高抑制,傳統(tǒng)濾波器技術(shù)均無法實(shí)現(xiàn)。


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