碳化硅（SiC）技術(shù)以及多個(gè)通過IATF 16949:2016認(rèn)證的制造工廠，可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件，幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試，關(guān)鍵可靠性指標(biāo)已經(jīng)證明，與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比，器件性能更加卓越。

與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降碳化硅（SiC）器件不同，器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應(yīng)用壽命。

VL53L5封裝在6.4x3.0x1.5mm的模塊中，發(fā)送鏡頭和接收鏡頭都集成到模塊上，并將模塊對角線視場角（FoV）擴(kuò)展到61度。

意法半導(dǎo)體的體系結(jié)構(gòu)可以自動校準(zhǔn)每個(gè)測距區(qū)，并且直接ToF技術(shù)支持每個(gè)區(qū)檢測多個(gè)目標(biāo)，不受玻璃蓋板反射光的影響。

制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 存儲容量:512 kbit 組織:32 k x 16 訪問時(shí)間:25 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:185 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-100 數(shù)據(jù)速率:SDR 存儲類型:SDR 系列:CY7C027V 類型:Asynchronous 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:2 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量:90 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:657 mg

一款完全集成的單封裝器件，集成高性能模擬外設(shè)和數(shù)字外設(shè)，由80MHz ARM®Cortex™-M3處理器和用于代碼和數(shù)據(jù)的集成閃存進(jìn)行控制。ADC輸入電壓范圍為0 V至VREF。

用戶利用序列器可選擇一組ADC通道依次測量，在此期間無需軟件介入。

該序列可以在用戶選擇的速率下選擇自動重復(fù)。

提供多達(dá)8個(gè)VDAC，輸出范圍可編程設(shè)置為兩個(gè)電壓范圍之一。

集成了一系列片內(nèi)外設(shè)，可以根據(jù)應(yīng)用需要通過軟件控制進(jìn)行配置。

器件的GPIO引腳在高阻抗輸入模式上電。

在輸出模式下，軟件在開漏模式和推挽模式間選擇。

上拉電阻可以通過軟件禁用和使能。

在GPIO輸出模式下，輸入可以保持使能以監(jiān)控引腳。

GPIO引腳也可編程設(shè)置為處理數(shù)字或模擬外設(shè)信號，在這種情況下，引腳特性需滿足特定要求。

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