極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅(SiC)器件不同ToF技術(shù)
發(fā)布時間:2021/3/27 18:12:07 訪問次數(shù):753
ST的FlightSense激光自動對焦嵌入技術(shù)已被主要的智能手機OEM廠商廣泛采用,目前已在150多款手機中出貨。
VL53L5封裝在6.4 x 3.0 x 1.5 mm的模塊中,發(fā)送鏡頭和接收鏡頭都集成到模塊上,并將模塊對角線視場角(FoV)擴展到61度。
意法半導(dǎo)體的體系結(jié)構(gòu)可以自動校準每個測距區(qū),并且直接ToF技術(shù)支持每個區(qū)檢測多個目標,不受玻璃蓋板反射光的影響。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機存取存儲器 存儲容量:512 kbit 組織:32 k x 16 訪問時間:25 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:185 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-100 數(shù)據(jù)速率:SDR 存儲類型:SDR 系列:CY7C027V 類型:Asynchronous 商標:Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:2 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量:90 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:657 mg
碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個通過IATF 16949:2016認證的制造工廠,可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件,幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風險。
經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試,關(guān)鍵可靠性指標已經(jīng)證明,與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。
與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅(SiC)器件不同,Microchip 器件性能保持穩(wěn)定,有助于延長應(yīng)用壽命。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ST的FlightSense激光自動對焦嵌入技術(shù)已被主要的智能手機OEM廠商廣泛采用,目前已在150多款手機中出貨。
VL53L5封裝在6.4 x 3.0 x 1.5 mm的模塊中,發(fā)送鏡頭和接收鏡頭都集成到模塊上,并將模塊對角線視場角(FoV)擴展到61度。
意法半導(dǎo)體的體系結(jié)構(gòu)可以自動校準每個測距區(qū),并且直接ToF技術(shù)支持每個區(qū)檢測多個目標,不受玻璃蓋板反射光的影響。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機存取存儲器 存儲容量:512 kbit 組織:32 k x 16 訪問時間:25 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:185 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-100 數(shù)據(jù)速率:SDR 存儲類型:SDR 系列:CY7C027V 類型:Asynchronous 商標:Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:2 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量:90 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:657 mg
碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個通過IATF 16949:2016認證的制造工廠,可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件,幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風險。
經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試,關(guān)鍵可靠性指標已經(jīng)證明,與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。
與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅(SiC)器件不同,Microchip 器件性能保持穩(wěn)定,有助于延長應(yīng)用壽命。

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