雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”。

為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。

這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求。

SN1000 SmartNIC能為多種類型的聯(lián)網(wǎng)、安全和存儲卸載提供軟件定義的硬件加速功能，例如開放虛擬交換機（Open vSwitch）和虛擬化加速（Virtio.net）。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 15.2 A

Rds On-漏源導通電阻: 90 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 8.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 8 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 10 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

零件號別名: SP000781806 BSZ9N2NS3GXT BSZ900N20NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

EPC21601采用3.3 V邏輯電路來控制，能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實現(xiàn)高達10 A的激光驅(qū)動電流。

EPC21601集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動器和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN®FET），采用芯片級BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。

由于外形小巧且集成了多個功能，因此與采用等效的多芯片、分立器件的解決方案相比，其占板面積小36％。