芯片級封裝(CSP)的工作溫度范圍為-40℃至+125℃
發(fā)布時間:2021/3/30 7:17:38 訪問次數(shù):1716
PKU4913D以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的超薄1/16磚形式供貨,尺寸為33.02mm×22.86mm×11.30mm(1.3in×0.9in×0.44in)。
該轉(zhuǎn)換器具有先進的過壓、過熱和短路保護機制,從而提高了可靠性和使用壽命。其平均故障間隔時間(MTBF)為1388萬小時。
與所有偉創(chuàng)力電源模塊的DC/DC轉(zhuǎn)換器一樣,PKU4913D符合IEC/EN/UL 62368-1安規(guī)要求。該器件的工作溫度范圍為-40℃至+125℃。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6 S
下降時間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
零件號別名: BSZ900N15NS3 G SP000677866
單位重量: 38.250 mg

EPC21601是激光驅(qū)動器IC系列中首個產(chǎn)品,采用芯片級封裝(CSP)。
集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設(shè)計、布局和組裝,并且節(jié)省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產(chǎn)品將推動在更廣泛的最終用戶應(yīng)用中,采用ToF技術(shù)的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。
從smartworldAI視頻分析到反洗錢和實時視頻轉(zhuǎn)碼。賽靈思生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴開發(fā)的容器化預(yù)構(gòu)建應(yīng)用提供了一種簡便方法,使得評估、購買和部署加速應(yīng)用僅需幾分鐘即可完成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
PKU4913D以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的超薄1/16磚形式供貨,尺寸為33.02mm×22.86mm×11.30mm(1.3in×0.9in×0.44in)。
該轉(zhuǎn)換器具有先進的過壓、過熱和短路保護機制,從而提高了可靠性和使用壽命。其平均故障間隔時間(MTBF)為1388萬小時。
與所有偉創(chuàng)力電源模塊的DC/DC轉(zhuǎn)換器一樣,PKU4913D符合IEC/EN/UL 62368-1安規(guī)要求。該器件的工作溫度范圍為-40℃至+125℃。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
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通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 74 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6 S
下降時間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
零件號別名: BSZ900N15NS3 G SP000677866
單位重量: 38.250 mg

EPC21601是激光驅(qū)動器IC系列中首個產(chǎn)品,采用芯片級封裝(CSP)。
集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設(shè)計、布局和組裝,并且節(jié)省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產(chǎn)品將推動在更廣泛的最終用戶應(yīng)用中,采用ToF技術(shù)的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。
從smartworldAI視頻分析到反洗錢和實時視頻轉(zhuǎn)碼。賽靈思生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴開發(fā)的容器化預(yù)構(gòu)建應(yīng)用提供了一種簡便方法,使得評估、購買和部署加速應(yīng)用僅需幾分鐘即可完成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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