5G工業(yè)路由器BC5521自主可控短路電流來驅(qū)動(dòng)MOS管
發(fā)布時(shí)間:2021/3/30 20:27:21 訪問次數(shù):695
最新5G工業(yè)路由器BC5521,使用春藤V510國產(chǎn)方案,基于紫光展銳5G技術(shù)平臺(tái)馬卡魯,臺(tái)積電12nm工藝制造,架構(gòu)靈活,有著高集成、高性能、低功耗等技術(shù)優(yōu)勢,完全做到自主可控。
BC5521是以嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)為軟件支撐平臺(tái)的全網(wǎng)通工業(yè)路由器,帶5G的同時(shí)支持5G NR SA/5G NR NSA/LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA網(wǎng)絡(luò)制式,使機(jī)器設(shè)備與平臺(tái)之間的數(shù)據(jù)交互更高效。
用途方面,BC5521能夠廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中的M2M行業(yè),如高清攝像頭、巡檢機(jī)器人、5G遠(yuǎn)程醫(yī)療、5G應(yīng)急救援、智能電網(wǎng)、智能交通、智能家居、供應(yīng)鏈自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)字化醫(yī)療。
制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:16位微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SPDIP-64 程序存儲(chǔ)器大小:8 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit ADC分辨率:No ADC 最大時(shí)鐘頻率:12 MHz 最小工作溫度:- 10 C 最大工作溫度:+ 70 C 高度:4.31 mm 長度:58.68 mm 程序存儲(chǔ)器類型:EPROM 寬度:17 mm 商標(biāo):Renesas Electronics 產(chǎn)品類型:16-bit Microcontrollers - MCU 子類別:Microcontrollers - MCU
高端驅(qū)動(dòng)MOS,并且柵極電壓在導(dǎo)通時(shí)必須大于源極電壓。
當(dāng)高端驅(qū)動(dòng)MOS晶體管導(dǎo)通時(shí),源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,因此柵極電壓比VCC大4V或10V。如果在同一系統(tǒng)中,則應(yīng)獲得大于VCC的電壓。
需要一個(gè)特殊的升壓電路。許多電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵。應(yīng)該注意的是,應(yīng)該選擇適當(dāng)?shù)耐獠侩娙萜饕垣@得足夠的短路電流來驅(qū)動(dòng)MOS管。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
最新5G工業(yè)路由器BC5521,使用春藤V510國產(chǎn)方案,基于紫光展銳5G技術(shù)平臺(tái)馬卡魯,臺(tái)積電12nm工藝制造,架構(gòu)靈活,有著高集成、高性能、低功耗等技術(shù)優(yōu)勢,完全做到自主可控。
BC5521是以嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)為軟件支撐平臺(tái)的全網(wǎng)通工業(yè)路由器,帶5G的同時(shí)支持5G NR SA/5G NR NSA/LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA網(wǎng)絡(luò)制式,使機(jī)器設(shè)備與平臺(tái)之間的數(shù)據(jù)交互更高效。
用途方面,BC5521能夠廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中的M2M行業(yè),如高清攝像頭、巡檢機(jī)器人、5G遠(yuǎn)程醫(yī)療、5G應(yīng)急救援、智能電網(wǎng)、智能交通、智能家居、供應(yīng)鏈自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)字化醫(yī)療。
制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:16位微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SPDIP-64 程序存儲(chǔ)器大小:8 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit ADC分辨率:No ADC 最大時(shí)鐘頻率:12 MHz 最小工作溫度:- 10 C 最大工作溫度:+ 70 C 高度:4.31 mm 長度:58.68 mm 程序存儲(chǔ)器類型:EPROM 寬度:17 mm 商標(biāo):Renesas Electronics 產(chǎn)品類型:16-bit Microcontrollers - MCU 子類別:Microcontrollers - MCU
高端驅(qū)動(dòng)MOS,并且柵極電壓在導(dǎo)通時(shí)必須大于源極電壓。
當(dāng)高端驅(qū)動(dòng)MOS晶體管導(dǎo)通時(shí),源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,因此柵極電壓比VCC大4V或10V。如果在同一系統(tǒng)中,則應(yīng)獲得大于VCC的電壓。
需要一個(gè)特殊的升壓電路。許多電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵。應(yīng)該注意的是,應(yīng)該選擇適當(dāng)?shù)耐獠侩娙萜饕垣@得足夠的短路電流來驅(qū)動(dòng)MOS管。
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