新型eFuse IC“TCKE712BNL”，進(jìn)一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復(fù)使用，具有保護(hù)電源線電路的功能。

玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線，以起到保護(hù)電源線的作用，但一旦熔斷就必須更換。eFuse IC旨在替代此類熔斷器，為電源線提供保護(hù)和安全性，同時在高度精確的過流保護(hù)之外，提供一系列內(nèi)置的保護(hù)功能。

TCKE712BNL采用過壓保護(hù)功能保護(hù)電源線，該功能可根據(jù)用戶要求通過外部電阻器進(jìn)行調(diào)整.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 18 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S

下降時間: 4.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 25.6 ns

典型接通延遲時間: 8.5 ns

零件號別名: BSZ0702LS SP001614090

XENSIV  雷達(dá)芯片及其專有的雷達(dá)存在檢測算法，基于英飛凌ARM Cortex-M4F的處理器系統(tǒng)、集成1Tx/3Rx天線和功率調(diào)節(jié)器。

獨特封裝天線內(nèi)置探測器的功能幫助降低對射頻、天線設(shè)計或雷達(dá)信號處理技術(shù)門檻，使工程師們更容易掌握毫米波雷達(dá)技術(shù)，該方案具有低功耗和小尺寸高性價比的特點, 已通過FCC預(yù)掃。

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