集成式快速開關(guān)50 A IGBT的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與MOSFET媲美。

較之常規(guī)的碳化硅MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實(shí)現(xiàn)95％至97％的系統(tǒng)效率。

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價(jià)比優(yōu)勢。

運(yùn)行模式下，僅107μA/MHz超低功耗（以200MHz在閃存運(yùn)行CoreMark算法時）；喚醒時間30μs

支持TrustZone技術(shù)的200MHz主頻Arm Cortex-M33內(nèi)核

包含瑞薩安全加密引擎的完整安全解決方案

100引腳至176引腳的LQFP封裝，也可提供176BGA封裝

片上集成1MB、1.5MB或2MB閃存；512KB SRAM（包括64KB ECC RAM）

電容式觸摸感應(yīng)單元

變頻器的自適應(yīng)控制功能能夠幫助隔離可能有害的負(fù)載的波動，并對負(fù)載變化進(jìn)行自動補(bǔ)償，從而保持系統(tǒng)正常運(yùn)行.

借助于負(fù)載檢測技術(shù)，對于負(fù)載波動的情況，通過變頻器自身傳感器觀察，并做出自適應(yīng)調(diào)節(jié)，從而使負(fù)載穩(wěn)定地運(yùn)行。

PowerFlex 6000T中壓變頻器可與羅克韋爾自動化控制系統(tǒng)無縫集成，支持統(tǒng)一友好的軟件環(huán)境Studio5000。