電纜和非極性設(shè)備高頻變壓器或功率MOS管的表面上
發(fā)布時(shí)間:2021/4/3 14:48:00 訪問次數(shù):389
小型1500外形尺寸新型通孔電感器---IHXL-1500VZ-51,在電感值減小30 %的情況下飽和電流高達(dá)420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51適用于再生能源、工業(yè)和通信應(yīng)用,DCR典型值非常低,僅為0.12 mW,可在+155 ℃ 高溫下連續(xù)工作。
優(yōu)異的抗噪能力使開關(guān)在整個(gè)結(jié)溫范圍內(nèi)可耐受高達(dá)6kV的快速電壓瞬變和高達(dá)2000V/s的電壓斜率(dV/dt)。
意法半導(dǎo)體的 800V H系列可控硅 現(xiàn)已量產(chǎn),采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB絕緣封裝。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:2.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:2.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:6 S 下降時(shí)間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:12.5 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns 典型接通延遲時(shí)間:7.5 ns 零件號(hào)別名:SI2304BDS-GE3 單位重量:8 mg
放置的最基本要求是沒有機(jī)械沖擊,易于拆卸和極性保護(hù)。電纜和非極性設(shè)備的連接端子必須具有兩個(gè)電纜過熱保護(hù)程序。
斷開保護(hù)電路后,網(wǎng)絡(luò)的正常運(yùn)行將不會(huì)受到影響。但這不會(huì)引起火災(zāi)或損壞電氣設(shè)備。通常情況下,交流適配器的電路板空間和機(jī)柜空間較小,存在一些問題和過熱保護(hù)。
如果難以組裝過熱保護(hù)器,請(qǐng)使用熱熔斷器或熱敏電阻作為熱保護(hù)器。將其放在冷卻器,高頻變壓器或功率MOS管的表面上。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
小型1500外形尺寸新型通孔電感器---IHXL-1500VZ-51,在電感值減小30 %的情況下飽和電流高達(dá)420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51適用于再生能源、工業(yè)和通信應(yīng)用,DCR典型值非常低,僅為0.12 mW,可在+155 ℃ 高溫下連續(xù)工作。
優(yōu)異的抗噪能力使開關(guān)在整個(gè)結(jié)溫范圍內(nèi)可耐受高達(dá)6kV的快速電壓瞬變和高達(dá)2000V/s的電壓斜率(dV/dt)。
意法半導(dǎo)體的 800V H系列可控硅 現(xiàn)已量產(chǎn),采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB絕緣封裝。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:2.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:2.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:6 S 下降時(shí)間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:12.5 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns 典型接通延遲時(shí)間:7.5 ns 零件號(hào)別名:SI2304BDS-GE3 單位重量:8 mg
放置的最基本要求是沒有機(jī)械沖擊,易于拆卸和極性保護(hù)。電纜和非極性設(shè)備的連接端子必須具有兩個(gè)電纜過熱保護(hù)程序。
斷開保護(hù)電路后,網(wǎng)絡(luò)的正常運(yùn)行將不會(huì)受到影響。但這不會(huì)引起火災(zāi)或損壞電氣設(shè)備。通常情況下,交流適配器的電路板空間和機(jī)柜空間較小,存在一些問題和過熱保護(hù)。
如果難以組裝過熱保護(hù)器,請(qǐng)使用熱熔斷器或熱敏電阻作為熱保護(hù)器。將其放在冷卻器,高頻變壓器或功率MOS管的表面上。
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