功率MOS管安裝散熱器過熱保護開關(guān)將自動關(guān)閉電源
發(fā)布時間:2021/4/3 14:46:01 訪問次數(shù):972
當溫度上升到一定值時,過熱保護開關(guān)將自動關(guān)閉電源,或強行關(guān)閉調(diào)制脈沖輸出以停止高電平。
為了抑制電源適配器的溫度升高,除了選擇漏電流小且存儲時間短的功率MOS管外,還需要為功率MOS管安裝散熱器。
MOS管裝有散熱器后,電源適配器的穩(wěn)定性將大大提高,損耗率將大大降低。
電子開關(guān)過熱保護措施的功能是切斷電源適配器的交流輸入線,或強行關(guān)閉調(diào)制脈沖輸出,并在容易發(fā)熱的組件溫度升高之前停止高頻振蕩。電源適配器或電源柜超過了指定的極限值。
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 系列: 存儲容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):20 mA 接口類型:Parallel 組織:1 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 定時類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲類型:NOR 速度:70 ns 類型:Boot Block 商標:Micron 電源電流—最大值:20 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標準:Common Flash Interface (CFI) 576 子類別:Memory & Data Storage
800V H系列可控硅,其在最大額定輸出電流時最高結(jié)溫達到150°C,因此可以將交流負載驅(qū)動器的散熱器尺寸縮減多達50%,開發(fā)緊湊尺寸與高可靠性兼?zhèn)涞慕涣黩?qū)動器。
新的800V H系列可控硅適用于工業(yè)制造設(shè)備、個人護理產(chǎn)品、智能家居產(chǎn)品和智能建筑系統(tǒng),利用意法半導(dǎo)體最新的Snubberless™高溫技術(shù)實現(xiàn)了出色的耐用性。
低導(dǎo)通電壓(VTM)確保開關(guān)具有較高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自發(fā)熱量,具有很低的漏電流,并能夠長時間保持低漏電流,從而降低了待機電能損耗。
當溫度上升到一定值時,過熱保護開關(guān)將自動關(guān)閉電源,或強行關(guān)閉調(diào)制脈沖輸出以停止高電平。
為了抑制電源適配器的溫度升高,除了選擇漏電流小且存儲時間短的功率MOS管外,還需要為功率MOS管安裝散熱器。
MOS管裝有散熱器后,電源適配器的穩(wěn)定性將大大提高,損耗率將大大降低。
電子開關(guān)過熱保護措施的功能是切斷電源適配器的交流輸入線,或強行關(guān)閉調(diào)制脈沖輸出,并在容易發(fā)熱的組件溫度升高之前停止高頻振蕩。電源適配器或電源柜超過了指定的極限值。
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 系列: 存儲容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):20 mA 接口類型:Parallel 組織:1 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 定時類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲類型:NOR 速度:70 ns 類型:Boot Block 商標:Micron 電源電流—最大值:20 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標準:Common Flash Interface (CFI) 576 子類別:Memory & Data Storage
800V H系列可控硅,其在最大額定輸出電流時最高結(jié)溫達到150°C,因此可以將交流負載驅(qū)動器的散熱器尺寸縮減多達50%,開發(fā)緊湊尺寸與高可靠性兼?zhèn)涞慕涣黩?qū)動器。
新的800V H系列可控硅適用于工業(yè)制造設(shè)備、個人護理產(chǎn)品、智能家居產(chǎn)品和智能建筑系統(tǒng),利用意法半導(dǎo)體最新的Snubberless™高溫技術(shù)實現(xiàn)了出色的耐用性。
低導(dǎo)通電壓(VTM)確保開關(guān)具有較高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自發(fā)熱量,具有很低的漏電流,并能夠長時間保持低漏電流,從而降低了待機電能損耗。
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