2.2V至5.5V的寬電源電壓范圍TSV792低壓數(shù)字IC
發(fā)布時間:2021/4/4 17:08:30 訪問次數(shù):423
2.2V至5.5V的寬電源電壓范圍使TSV792可以與其他低壓數(shù)字IC（例如系統(tǒng)主機微控制器）共用同一個電源，并可以通過深度放電電池供電，來延長設備的運行時間。
新運放的單位增益穩(wěn)定，并受益于軌到軌輸入和輸出，支持多種設計拓撲和簡化電路設計。
TSV792享受意法半導體的10年產(chǎn)品壽命保障計劃，確保意法半導體工業(yè)產(chǎn)品在市場上長期有貨。Mini SO-8封裝版現(xiàn)已投產(chǎn)，DFN8 2mm x 2mm封裝
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-8 系列: 存儲容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:12 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:75 MHz 組織:2 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:75 MHz 商標:Micron 電源電流—最大值:12 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標準:Not Supported 4000 子類別:Memory & Data Storage
而磁帶不僅具有存儲容量大、成本低、可長期存儲等優(yōu)點，而且數(shù)據(jù)可以在與網(wǎng)絡隔離的氣隙狀態(tài)下被存儲，從而最大限度地降低網(wǎng)絡攻擊造成的數(shù)據(jù)損壞和丟失，多年來一直被各大數(shù)據(jù)中心和研究機構所采用。
富士膠片一直在進行“SrFe磁性顆�！钡纳逃醚邪l(fā)，作為目前用于磁帶數(shù)據(jù)存儲介質的鋇鐵氧體（BaFe）磁性顆粒的迭代品。
本次試驗中使用的磁帶由富士膠片現(xiàn)有的涂布設備生產(chǎn)，已具備量產(chǎn)和商品化的能力。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
2.2V至5.5V的寬電源電壓范圍使TSV792可以與其他低壓數(shù)字IC（例如系統(tǒng)主機微控制器）共用同一個電源，并可以通過深度放電電池供電，來延長設備的運行時間。
新運放的單位增益穩(wěn)定，并受益于軌到軌輸入和輸出，支持多種設計拓撲和簡化電路設計。
TSV792享受意法半導體的10年產(chǎn)品壽命保障計劃，確保意法半導體工業(yè)產(chǎn)品在市場上長期有貨。Mini SO-8封裝版現(xiàn)已投產(chǎn)，DFN8 2mm x 2mm封裝
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-8 系列: 存儲容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:12 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:75 MHz 組織:2 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:75 MHz 商標:Micron 電源電流—最大值:12 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標準:Not Supported 4000 子類別:Memory & Data Storage
而磁帶不僅具有存儲容量大、成本低、可長期存儲等優(yōu)點，而且數(shù)據(jù)可以在與網(wǎng)絡隔離的氣隙狀態(tài)下被存儲，從而最大限度地降低網(wǎng)絡攻擊造成的數(shù)據(jù)損壞和丟失，多年來一直被各大數(shù)據(jù)中心和研究機構所采用。
富士膠片一直在進行“SrFe磁性顆�！钡纳逃醚邪l(fā)，作為目前用于磁帶數(shù)據(jù)存儲介質的鋇鐵氧體（BaFe）磁性顆粒的迭代品。
本次試驗中使用的磁帶由富士膠片現(xiàn)有的涂布設備生產(chǎn)，已具備量產(chǎn)和商品化的能力。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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