2.2V至5.5V的寬電源電壓范圍使TSV792可以與其他低壓數(shù)字IC（例如系統(tǒng)主機(jī)微控制器）共用同一個電源，并可以通過深度放電電池供電，來延長設(shè)備的運行時間。

新運放的單位增益穩(wěn)定，并受益于軌到軌輸入和輸出，支持多種設(shè)計拓?fù)浜秃喕娐吩O(shè)計。

TSV792享受意法半導(dǎo)體的10年產(chǎn)品壽命保障計劃，確保意法半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)品在市場上長期有貨。Mini SO-8封裝版現(xiàn)已投產(chǎn)，DFN8 2mm x 2mm封裝

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-8 系列: 存儲容量:16 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:12 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:75 MHz 組織:2 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:75 MHz 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:12 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Not Supported 4000 子類別:Memory & Data Storage

而磁帶不僅具有存儲容量大、成本低、可長期存儲等優(yōu)點，而且數(shù)據(jù)可以在與網(wǎng)絡(luò)隔離的氣隙狀態(tài)下被存儲，從而最大限度地降低網(wǎng)絡(luò)攻擊造成的數(shù)據(jù)損壞和丟失，多年來一直被各大數(shù)據(jù)中心和研究機(jī)構(gòu)所采用。

富士膠片一直在進(jìn)行“SrFe磁性顆�！钡纳逃醚邪l(fā)，作為目前用于磁帶數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的鋇鐵氧體（BaFe）磁性顆粒的迭代品。

本次試驗中使用的磁帶由富士膠片現(xiàn)有的涂布設(shè)備生產(chǎn)，已具備量產(chǎn)和商品化的能力。

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