帶DMA的以太網(wǎng)MAC全速和高速USB及多個串行接口
發(fā)布時間:2021/4/5 14:43:31 訪問次數(shù):544
RA6M5產(chǎn)品群為IoT系統(tǒng)產(chǎn)品設(shè)計人員在共享關(guān)鍵數(shù)據(jù)時提供卓越的靈活性。全新MCU具備多種通信接口選項,包括CAN FD、帶DMA的以太網(wǎng)MAC、全速和高速USB以及多個串行接口。
全新MCU集成高達(dá)2MB片上閃存和512KB片上RAM,廣泛支持各種應(yīng)用。同時提供OctaSPI接口,使設(shè)計人員能夠進(jìn)一步擴(kuò)展閃存與RAM。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 57.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: BSZ086P03
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S
下降時間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 46 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
零件號別名: BSZ086P03NS3 G SP000473024
單位重量: 38.760 mg

Lexar雷克沙作為全球高端消費類存儲品牌,始終以創(chuàng)新思維打造領(lǐng)先業(yè)界的存儲產(chǎn)品及解決方案。
且所有產(chǎn)品均經(jīng)過雷克沙質(zhì)量實驗室專業(yè)設(shè)備的反復(fù)測試,以確保性能、質(zhì)量、兼容性和可靠性。Lexar雷克沙SD Express存儲卡的面世,會幫助用戶更便捷快速地存儲,讓工作生活更高效。
性能基于Lexar質(zhì)量實驗室,實際性能可因設(shè)備、使用環(huán)境而有所變化。
SM2708控制器現(xiàn)在支持SD8.0規(guī)范,該規(guī)范將數(shù)據(jù)吞吐量提高了三倍以上,可應(yīng)用于8K視頻拍攝、RAW格式攝影、多通道IOT設(shè)備、汽車存儲以及其他需超高速的應(yīng)用。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
RA6M5產(chǎn)品群為IoT系統(tǒng)產(chǎn)品設(shè)計人員在共享關(guān)鍵數(shù)據(jù)時提供卓越的靈活性。全新MCU具備多種通信接口選項,包括CAN FD、帶DMA的以太網(wǎng)MAC、全速和高速USB以及多個串行接口。
全新MCU集成高達(dá)2MB片上閃存和512KB片上RAM,廣泛支持各種應(yīng)用。同時提供OctaSPI接口,使設(shè)計人員能夠進(jìn)一步擴(kuò)展閃存與RAM。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 57.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: BSZ086P03
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S
下降時間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 46 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
零件號別名: BSZ086P03NS3 G SP000473024
單位重量: 38.760 mg

Lexar雷克沙作為全球高端消費類存儲品牌,始終以創(chuàng)新思維打造領(lǐng)先業(yè)界的存儲產(chǎn)品及解決方案。
且所有產(chǎn)品均經(jīng)過雷克沙質(zhì)量實驗室專業(yè)設(shè)備的反復(fù)測試,以確保性能、質(zhì)量、兼容性和可靠性。Lexar雷克沙SD Express存儲卡的面世,會幫助用戶更便捷快速地存儲,讓工作生活更高效。
性能基于Lexar質(zhì)量實驗室,實際性能可因設(shè)備、使用環(huán)境而有所變化。
SM2708控制器現(xiàn)在支持SD8.0規(guī)范,該規(guī)范將數(shù)據(jù)吞吐量提高了三倍以上,可應(yīng)用于8K視頻拍攝、RAW格式攝影、多通道IOT設(shè)備、汽車存儲以及其他需超高速的應(yīng)用。
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