高度可靠的車載充電器和DC-DC變流器產(chǎn)品。VMAX在其新一代OBC/DC-DC系統(tǒng)中使用了英飛凌最新推出的CoolSiC混合分立器件。

借助CoolSiC混合分立器件，我們可以簡化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，從而縮短了產(chǎn)品研發(fā)時(shí)間、降低了研發(fā)成本、提高了系統(tǒng)魯棒性。

集成的SiC二極管所具有的反向恢復(fù)性能進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的電磁兼容性。因此在圖騰柱PFC、DAB等拓?fù)浼軜?gòu)中具備更大的性能優(yōu)勢(shì)和更高的性價(jià)比。

制造商Infineon Technologies系列包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）

零件狀態(tài)有源FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10A（Ta），40A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）9.1 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），30W（Tc）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝PG-TSDSON-8封裝/外殼8-PowerTDFN漏源電壓（Vdss）30V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1700pF @ 15V

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。

相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低30%。由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

緊密的合作關(guān)系。該項(xiàng)目進(jìn)一步凸顯出我們?cè)谲囕d充電器應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)地位。供貨情況車用CoolSiC™混合分立器件現(xiàn)已開始供貨。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）