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常規(guī)TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS的復(fù)雜電源構(gòu)成

發(fā)布時(shí)間:2021/4/7 7:48:13 訪問次數(shù):779

超低內(nèi)阻的高壓MOS產(chǎn)品需求,在常規(guī)TO-247封裝不能滿足的情況下,電源工程師往往會(huì)使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來代替。

這種超大封裝不僅不通用,且成本較高。

順應(yīng)趨勢(shì),維安經(jīng)過多年的SJ-MOS技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新,開發(fā)出行業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用痛點(diǎn)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns

零件號(hào)別名: BSZ084N08NS5 SP001227056

單位重量: 36.670 mg


NJW4210內(nèi)置了與USB控制器聯(lián)動(dòng)切換到與受電側(cè)設(shè)備對(duì)應(yīng)的輸出電壓的功能,因此不需為每一個(gè)輸出電壓準(zhǔn)備多個(gè)穩(wěn)壓器,只需一個(gè)芯片即可覆蓋USB PD的供給電源。

USB PD 2.0 ver.1.2以后的供給電源規(guī)格概要PD功率~15W~27W~45W~60W~100W最大輸出電壓/電流5V/3A9V/3A15V/3A20V/3A20V/5A※※ 使用5A連接線時(shí)。

單芯片支持5V/9V/15V/20V輸出電壓,供電側(cè)設(shè)備的內(nèi)部電源電壓是多種多樣的,為了對(duì)應(yīng)USB PD的各個(gè)輸出電壓,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)降壓、升壓混合的復(fù)雜電源構(gòu)成。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

超低內(nèi)阻的高壓MOS產(chǎn)品需求,在常規(guī)TO-247封裝不能滿足的情況下,電源工程師往往會(huì)使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來代替。

這種超大封裝不僅不通用,且成本較高。

順應(yīng)趨勢(shì),維安經(jīng)過多年的SJ-MOS技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新,開發(fā)出行業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用痛點(diǎn)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns

零件號(hào)別名: BSZ084N08NS5 SP001227056

單位重量: 36.670 mg


NJW4210內(nèi)置了與USB控制器聯(lián)動(dòng)切換到與受電側(cè)設(shè)備對(duì)應(yīng)的輸出電壓的功能,因此不需為每一個(gè)輸出電壓準(zhǔn)備多個(gè)穩(wěn)壓器,只需一個(gè)芯片即可覆蓋USB PD的供給電源。

USB PD 2.0 ver.1.2以后的供給電源規(guī)格概要PD功率~15W~27W~45W~60W~100W最大輸出電壓/電流5V/3A9V/3A15V/3A20V/3A20V/5A※※ 使用5A連接線時(shí)。

單芯片支持5V/9V/15V/20V輸出電壓,供電側(cè)設(shè)備的內(nèi)部電源電壓是多種多樣的,為了對(duì)應(yīng)USB PD的各個(gè)輸出電壓,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)降壓、升壓混合的復(fù)雜電源構(gòu)成。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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