1M位磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)通用存儲(chǔ)芯片。

1M位MRAM存儲(chǔ)器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計(jì)算機(jī)和手機(jī)的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間等待，電池壽命短等。

MRAM設(shè)計(jì)成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲(chǔ)器，即使在電源關(guān)斷時(shí)。它也能期望消除手機(jī)開機(jī)時(shí)的延時(shí)。

存儲(chǔ)器芯片技術(shù)能把多種存儲(chǔ)器集成在單一芯片中。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 26 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 3.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 5.2 ns

零件號(hào)別名: BSZ5N3LSGXT SP000304139 BSZ050N03LSGATMA1

單位重量: 39.770 mg

PR4101是大功率LED降壓驅(qū)動(dòng)器,能串通方式驅(qū)動(dòng)一個(gè)或多個(gè)大功率LED.

工作電壓可高達(dá)40V,采用外接N溝MOSFET開關(guān)管,輸出電流可高達(dá)1A.可用于鹵素?zé)?通用照明,告警照明,汽車照明,信號(hào)指示和LCD背景光.

PR4404是適用于0.5W/1W大功率LED的低壓升壓驅(qū)動(dòng)器,能從單電池(1.2V/1.5V)提供高達(dá)150mA LED電流或從兩節(jié)電池(2.4V/3.0V)提供高達(dá)300mA LED電流.

因此,PR4404可廣泛用在LED火炬,LCD屏背光,家庭照明和玩具.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）