MWAM技術(shù)也給汽車工業(yè)帶來好處。它能用來滿足智能卡的需要，這種智能卡需要有效和成本效率的非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器，它能工作在高速度，在讀寫周期有大交換量。

它也有可能改善諸如通信和無鑰匙開車門的功能。公司計(jì)劃在2004年大量生產(chǎn)。

摩托羅拉公司成功地演示它的用一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。

不需要多種類型存儲(chǔ)器導(dǎo)致更小型的產(chǎn)品，更多的功能。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 26 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 3.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 5.2 ns

零件號(hào)別名: BSZ5N3LSGXT SP000304139 BSZ050N03LSGATMA1

單位重量: 39.770 mg

32引腳雙列直插封裝(DIP)DiskOnChip 2000閃存盤片，其內(nèi)存擴(kuò)展到1G字節(jié)。

DiskOnChip 2000是模塊式閃存盤片系列，具有TrueFFS閃存管理技術(shù)，體積小和固態(tài)運(yùn)作等特點(diǎn)。這些系列產(chǎn)品給嵌入式系統(tǒng)，醫(yī)學(xué)應(yīng)用，汽車電子計(jì)算機(jī)，連通設(shè)備，航空通信和其它工作在惡劣環(huán)境的設(shè)備提供了局部存儲(chǔ)的解決方案。

和其它1G字節(jié)盤片解決方案相比，M系統(tǒng)公司的1G字節(jié)DiskOnChip 2000閃存盤片，由于采用小型32引腳DIP插座，因而更加緊湊。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）