在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍
發(fā)布時(shí)間:2024/9/5 23:53:50 訪問(wèn)次數(shù):27
64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝,在200mm襯底用銅互連來(lái)制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。
采用TrueFFS先進(jìn)技術(shù),DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容,產(chǎn)品很容易升級(jí)。
寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān),其兩端口之間的接通電阻為4-歐姆,傳輸時(shí)延為0.25ns.
這四種器件可以說(shuō)給手提電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了很靈活的接口解決方案,例如那些筆記本電腦到主站的連接器需要絕緣的。
西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時(shí)間: 6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
零件號(hào)別名: BSZ042N06NS SP000917418
單位重量: 36.760 mg
四種細(xì)間距QVSOP封裝寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)在空間嚴(yán)格限制的系統(tǒng)如筆記本電腦,PDA和手提電子設(shè)備。
寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)給筆記本電腦和主站接口的設(shè)計(jì)提供了靈活性,用QVSOP的占位面積比TSSOP的小41%。
兩種48引腳開(kāi)關(guān),20位的FSTU32X384和FSTU16862采用了快捷公司的UHC(負(fù)尖峰保護(hù)電路)技術(shù)。
UHC感知任一端I/O數(shù)據(jù)口的負(fù)尖峰電平低到-2V。它也能防止開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)電壓的差異,以保持絕緣。所有這四種器件都工作在5V電壓。
64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝,在200mm襯底用銅互連來(lái)制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。
采用TrueFFS先進(jìn)技術(shù),DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容,產(chǎn)品很容易升級(jí)。
寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān),其兩端口之間的接通電阻為4-歐姆,傳輸時(shí)延為0.25ns.
這四種器件可以說(shuō)給手提電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了很靈活的接口解決方案,例如那些筆記本電腦到主站的連接器需要絕緣的。
西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時(shí)間: 6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
零件號(hào)別名: BSZ042N06NS SP000917418
單位重量: 36.760 mg
四種細(xì)間距QVSOP封裝寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)在空間嚴(yán)格限制的系統(tǒng)如筆記本電腦,PDA和手提電子設(shè)備。
寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)給筆記本電腦和主站接口的設(shè)計(jì)提供了靈活性,用QVSOP的占位面積比TSSOP的小41%。
兩種48引腳開(kāi)關(guān),20位的FSTU32X384和FSTU16862采用了快捷公司的UHC(負(fù)尖峰保護(hù)電路)技術(shù)。
UHC感知任一端I/O數(shù)據(jù)口的負(fù)尖峰電平低到-2V。它也能防止開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)電壓的差異,以保持絕緣。所有這四種器件都工作在5V電壓。
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