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在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍

發(fā)布時(shí)間:2024/9/5 23:53:50 訪問(wèn)次數(shù):27

64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝,在200mm襯底用銅互連來(lái)制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。

采用TrueFFS先進(jìn)技術(shù),DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容,產(chǎn)品很容易升級(jí)。

寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān),其兩端口之間的接通電阻為4-歐姆,傳輸時(shí)延為0.25ns.

這四種器件可以說(shuō)給手提電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了很靈活的接口解決方案,例如那些筆記本電腦到主站的連接器需要絕緣的。

西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 27 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時(shí)間: 6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

零件號(hào)別名: BSZ042N06NS SP000917418

單位重量: 36.760 mg

四種細(xì)間距QVSOP封裝寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)在空間嚴(yán)格限制的系統(tǒng)如筆記本電腦,PDA和手提電子設(shè)備。

寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)給筆記本電腦和主站接口的設(shè)計(jì)提供了靈活性,用QVSOP的占位面積比TSSOP的小41%。

兩種48引腳開(kāi)關(guān),20位的FSTU32X384和FSTU16862采用了快捷公司的UHC(負(fù)尖峰保護(hù)電路)技術(shù)。

UHC感知任一端I/O數(shù)據(jù)口的負(fù)尖峰電平低到-2V。它也能防止開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)電壓的差異,以保持絕緣。所有這四種器件都工作在5V電壓。



64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝,在200mm襯底用銅互連來(lái)制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。

采用TrueFFS先進(jìn)技術(shù),DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容,產(chǎn)品很容易升級(jí)。

寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān),其兩端口之間的接通電阻為4-歐姆,傳輸時(shí)延為0.25ns.

這四種器件可以說(shuō)給手提電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了很靈活的接口解決方案,例如那些筆記本電腦到主站的連接器需要絕緣的。

西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 27 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時(shí)間: 6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

零件號(hào)別名: BSZ042N06NS SP000917418

單位重量: 36.760 mg

四種細(xì)間距QVSOP封裝寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)在空間嚴(yán)格限制的系統(tǒng)如筆記本電腦,PDA和手提電子設(shè)備。

寬位數(shù)總線開(kāi)關(guān)給筆記本電腦和主站接口的設(shè)計(jì)提供了靈活性,用QVSOP的占位面積比TSSOP的小41%。

兩種48引腳開(kāi)關(guān),20位的FSTU32X384和FSTU16862采用了快捷公司的UHC(負(fù)尖峰保護(hù)電路)技術(shù)。

UHC感知任一端I/O數(shù)據(jù)口的負(fù)尖峰電平低到-2V。它也能防止開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)電壓的差異,以保持絕緣。所有這四種器件都工作在5V電壓。



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