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BTL音頻D類放大級高效地驅(qū)動15W 4歐姆揚聲器負載

發(fā)布時間:2021/4/12 12:18:59 訪問次數(shù):498

ADAU1513 是2路BTL音頻D類放大級,能高效地驅(qū)動15W 4歐姆揚聲器負載. 

ADAU1513采用從ADAV4201處理器輸入的3.3V差分PWM信號輸入,具有熱保護和輸出短路保護.工作電壓從9V到18V,效率大于90%.

可用于平板電視,PC音頻系統(tǒng)和小型部件.

TS2012是無濾波器的2x2.8W立體聲D類全差分音頻功率放大器,5V工作時,每路能向8歐姆負載提供1.35W功率, 能提供和AB類音頻放大器相比擬的效率.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:540 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:8.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.8 mm 長度:6.5 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.5 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1.1 S 下降時間:9.4 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:16 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:250 mg

適用于汽車應(yīng)用的尖端技術(shù)MOSFET 新系列。

這套高性能汽車(HPA)TrenchMOS 系列可降低導(dǎo)通電阻,提高耐用性并且改善用于電子動力輔助轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)、集成啟動器交流發(fā)動機(ISA)和其他主要的電機驅(qū)動器等高電流應(yīng)用的開關(guān)性能。

MOSFETS的HPA TrenchMOS系列基于飛利浦成熟的Trench技術(shù),可全面提高汽車負載驅(qū)動的性能。

該器件可用于所有30、40、55、75和100V普通的汽車擊穿電壓等級,并且符合汽車分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的汽車電子標準AEC Q101。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

ADAU1513 是2路BTL音頻D類放大級,能高效地驅(qū)動15W 4歐姆揚聲器負載. 

ADAU1513采用從ADAV4201處理器輸入的3.3V差分PWM信號輸入,具有熱保護和輸出短路保護.工作電壓從9V到18V,效率大于90%.

可用于平板電視,PC音頻系統(tǒng)和小型部件.

TS2012是無濾波器的2x2.8W立體聲D類全差分音頻功率放大器,5V工作時,每路能向8歐姆負載提供1.35W功率, 能提供和AB類音頻放大器相比擬的效率.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:540 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:8.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.8 mm 長度:6.5 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.5 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1.1 S 下降時間:9.4 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:16 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:250 mg

適用于汽車應(yīng)用的尖端技術(shù)MOSFET 新系列。

這套高性能汽車(HPA)TrenchMOS 系列可降低導(dǎo)通電阻,提高耐用性并且改善用于電子動力輔助轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)、集成啟動器交流發(fā)動機(ISA)和其他主要的電機驅(qū)動器等高電流應(yīng)用的開關(guān)性能。

MOSFETS的HPA TrenchMOS系列基于飛利浦成熟的Trench技術(shù),可全面提高汽車負載驅(qū)動的性能。

該器件可用于所有30、40、55、75和100V普通的汽車擊穿電壓等級,并且符合汽車分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的汽車電子標準AEC Q101。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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