發(fā)表SiSR658，意味著矽統(tǒng)科技正邁向更加完整的高端產(chǎn)品，SiSR658將矽統(tǒng)科技的產(chǎn)品藍(lán)圖延伸到高端產(chǎn)品市場(chǎng)，所提供的高端內(nèi)存性能與完整的產(chǎn)品特性完全符合高端使用者的要求。

SiSR658支持PC1066/PC800 RDRAM內(nèi)存，內(nèi)存容量最高可達(dá)4GB,R658也完全支持高端繪圖架構(gòu)AGP8X繪圖芯片，和新南橋SiS963一起使用，可提升南北橋傳輸速度至533MHz。

此外，R658也配置了強(qiáng)大的多媒體功能包括5.1通道AC'97 2.2音頻、10/100Mb以太網(wǎng)、Home PNA2.0、ATA133/100/66標(biāo)準(zhǔn)雙IDE通道等，并支持6組PCI插槽與6組USB 2.0/1.1接口。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-4 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:1 A Pd-功率耗散:1600 mW 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 高度:1.8 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 技術(shù):Si 寬度:3.5 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 集電極連續(xù)電流:1 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Transistors 單位重量:112 mg

ISP1504x1和標(biāo)準(zhǔn)USB外設(shè)控制器應(yīng)用電路, ISP1504x1和OTG控制器應(yīng)用電路圖, ISP1504x1和標(biāo)準(zhǔn)USB主控制器應(yīng)用電路圖以及ISP1504x1評(píng)估板UM10079方框圖,電路圖與材料清單(BOM).

通過(guò)獨(dú)到的SiS妙渠技術(shù)(MuTIOL)技術(shù)，SiSR658能方便的將南北橋總線界面?zhèn)鬏旑l寬提升至每秒1GB.

TPS2552/53和TPS2552-1/53-1是電源分配開關(guān),主要用于需要精密限流或大容性負(fù)載與可能出現(xiàn)短路的地方.器件通過(guò)外接電阻可編程限流閾值在75mA和1.3A之間.

限流精度在1.3A時(shí)為+/-6%.2us快速過(guò)流響應(yīng)時(shí)間,高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻為85毫歐姆.

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）