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多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件

發(fā)布時(shí)間:2021/4/14 22:49:58 訪問(wèn)次數(shù):473

X-波段產(chǎn)品組合提供支持多級(jí)增益的解決方案,從而減少發(fā)射鏈路中所需要的器件數(shù)量。

它們包括了不同的功率等級(jí)以優(yōu)化系統(tǒng)性能,并提供多種平臺(tái)以優(yōu)化系統(tǒng)架構(gòu)。瀏覽表1,了解更多產(chǎn)品細(xì)節(jié)和性能數(shù)據(jù)。

四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件.

進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.6 V    

Qg-柵極電荷:    5.6 nC, 20 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.15 mm  

長(zhǎng)度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   46 S, 90 S  

下降時(shí)間:   1.4 ns, 2.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   4.7 ns, 4.3 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   4.3 ns, 8.8 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   4.3 ns, 5.6 ns  

零件號(hào)別名:  SP001075902 BSG0811NDATMA1  

單位重量:  230 mg  

在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。

B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。

此外,電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。

2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

X-波段產(chǎn)品組合提供支持多級(jí)增益的解決方案,從而減少發(fā)射鏈路中所需要的器件數(shù)量。

它們包括了不同的功率等級(jí)以優(yōu)化系統(tǒng)性能,并提供多種平臺(tái)以優(yōu)化系統(tǒng)架構(gòu)。瀏覽表1,了解更多產(chǎn)品細(xì)節(jié)和性能數(shù)據(jù)。

四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件.

進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.6 V    

Qg-柵極電荷:    5.6 nC, 20 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.15 mm  

長(zhǎng)度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   46 S, 90 S  

下降時(shí)間:   1.4 ns, 2.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   4.7 ns, 4.3 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   4.3 ns, 8.8 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   4.3 ns, 5.6 ns  

零件號(hào)別名:  SP001075902 BSG0811NDATMA1  

單位重量:  230 mg  

在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。

B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。

此外,電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。

2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。


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