多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
發(fā)布時(shí)間:2021/4/14 22:49:58 訪問(wèn)次數(shù):473
X-波段產(chǎn)品組合提供支持多級(jí)增益的解決方案,從而減少發(fā)射鏈路中所需要的器件數(shù)量。
它們包括了不同的功率等級(jí)以優(yōu)化系統(tǒng)性能,并提供多種平臺(tái)以優(yōu)化系統(tǒng)架構(gòu)。瀏覽表1,了解更多產(chǎn)品細(xì)節(jié)和性能數(shù)據(jù)。
四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件.
進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
長(zhǎng)度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 46 S, 90 S
下降時(shí)間: 1.4 ns, 2.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.7 ns, 4.3 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
單位重量: 230 mg
B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。
此外,電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。
2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
X-波段產(chǎn)品組合提供支持多級(jí)增益的解決方案,從而減少發(fā)射鏈路中所需要的器件數(shù)量。
它們包括了不同的功率等級(jí)以優(yōu)化系統(tǒng)性能,并提供多種平臺(tái)以優(yōu)化系統(tǒng)架構(gòu)。瀏覽表1,了解更多產(chǎn)品細(xì)節(jié)和性能數(shù)據(jù)。
四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件.
進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
長(zhǎng)度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 46 S, 90 S
下降時(shí)間: 1.4 ns, 2.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.7 ns, 4.3 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
單位重量: 230 mg
B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。
此外,電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。
2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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