瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2007/9/1 0:00:00 訪問次數(shù):364
文章加入時(shí)間:2004年6月28日9:10:25
瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的SOP-8尺寸封裝產(chǎn)品。
用于筆記本電腦的電源管理開關(guān)的功率MOSFET,與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比,其導(dǎo)通電阻大約減小了25%,有助于減小系統(tǒng)功耗和尺寸。
瑞薩科技公司近日發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導(dǎo)通電阻,用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關(guān)和鋰離子電池充電/放電控制。
與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
文章加入時(shí)間:2004年6月28日9:10:25
瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的SOP-8尺寸封裝產(chǎn)品。
用于筆記本電腦的電源管理開關(guān)的功率MOSFET,與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比,其導(dǎo)通電阻大約減小了25%,有助于減小系統(tǒng)功耗和尺寸。
瑞薩科技公司近日發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導(dǎo)通電阻,用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關(guān)和鋰離子電池充電/放電控制。
與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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