低阻值范圍實現(xiàn)±25ppm/℃以下電阻溫度系數(shù)(TCR)
發(fā)布時間:2021/4/16 22:56:04 訪問次數(shù):701
新開發(fā)的GMR320具有10W的額定功率和5mΩ~100mΩ的阻值陣容,非常適用于車載引擎ECU和前照燈、工業(yè)設(shè)備和白色家電的電源和電機等應(yīng)用。
通過采用ROHM自有的材料和結(jié)構(gòu),與普通產(chǎn)品相比,成功地抑制了23%的表面溫升,因此,該產(chǎn)品不僅在額定功率10W級產(chǎn)品中尺寸超小,而且在承受過電流負(fù)載時表現(xiàn)出出色的耐用性。
此外,該產(chǎn)品的電阻體金屬采用高性能合金材料,即使在低阻值范圍也具有出色的電阻溫度系數(shù)(TCR※1),從而能夠進(jìn)行高精度且高度可靠的電流檢測。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 78 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 37 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 43 S
下降時間: 3 nS
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 4.4 nS
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 16 nS
典型接通延遲時間: 3.3 ns
零件號別名: BSC94NSIXT SP000854384 BSC0904NSIATMA1
單位重量: 101.400 mg
電阻值越低,電阻溫度系數(shù)(TCR)越高,而新產(chǎn)品由于電阻體金屬采用高性能合金材料,因此即使在低阻值范圍也可實現(xiàn)±25ppm/℃以下的出色電阻溫度系數(shù)(TCR)。
即使在低阻值范圍,由熱引起的阻值變化也可減少到普通產(chǎn)品的一半左右,從而能夠進(jìn)行高精度的電流檢測,進(jìn)而有助于提高應(yīng)用的可靠性。
PSR系列是在超低阻值范圍也具有出色的電阻溫度系數(shù)(TCR)的分流電阻器,在以車載和工業(yè)設(shè)備為主的使用環(huán)境惡劣的領(lǐng)域中受到廣泛好評。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新開發(fā)的GMR320具有10W的額定功率和5mΩ~100mΩ的阻值陣容,非常適用于車載引擎ECU和前照燈、工業(yè)設(shè)備和白色家電的電源和電機等應(yīng)用。
通過采用ROHM自有的材料和結(jié)構(gòu),與普通產(chǎn)品相比,成功地抑制了23%的表面溫升,因此,該產(chǎn)品不僅在額定功率10W級產(chǎn)品中尺寸超小,而且在承受過電流負(fù)載時表現(xiàn)出出色的耐用性。
此外,該產(chǎn)品的電阻體金屬采用高性能合金材料,即使在低阻值范圍也具有出色的電阻溫度系數(shù)(TCR※1),從而能夠進(jìn)行高精度且高度可靠的電流檢測。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 78 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 37 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 43 S
下降時間: 3 nS
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 4.4 nS
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 16 nS
典型接通延遲時間: 3.3 ns
零件號別名: BSC94NSIXT SP000854384 BSC0904NSIATMA1
單位重量: 101.400 mg
電阻值越低,電阻溫度系數(shù)(TCR)越高,而新產(chǎn)品由于電阻體金屬采用高性能合金材料,因此即使在低阻值范圍也可實現(xiàn)±25ppm/℃以下的出色電阻溫度系數(shù)(TCR)。
即使在低阻值范圍,由熱引起的阻值變化也可減少到普通產(chǎn)品的一半左右,從而能夠進(jìn)行高精度的電流檢測,進(jìn)而有助于提高應(yīng)用的可靠性。
PSR系列是在超低阻值范圍也具有出色的電阻溫度系數(shù)(TCR)的分流電阻器,在以車載和工業(yè)設(shè)備為主的使用環(huán)境惡劣的領(lǐng)域中受到廣泛好評。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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