MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計。

作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計。

MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 16.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 110 S, 55 S

下降時間: 3.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5.4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 3.9 ns

零件號別名: SP000854380 BSC92NSIXT BSC0902NSIATMA1

單位重量: 118.180 mg

在熱設(shè)計較難的大功率應(yīng)用中，也可以在實際產(chǎn)品設(shè)計之前通過仿真進(jìn)行確認(rèn)，有助于減少設(shè)計工時。

在ROHM的創(chuàng)始產(chǎn)品—電阻器領(lǐng)域，公司將繼續(xù)擴(kuò)展從低功率到高功率且有助于節(jié)能和小型化的電阻器產(chǎn)品陣容，并注重提供各種工具等技術(shù)支持，為汽車和工業(yè)設(shè)備的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

ROHM包括新產(chǎn)品在內(nèi)的分流電阻器熱仿真模型。

PSR系列作為大功率分流電阻器被廣受好評，此次又大大提高了額定功率保證值。例如，以往額定功率保證值為5W的“PSR500系列”，由于保證值已提高到最高15W，因此將可以支持更廣泛的應(yīng)用。

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