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RK2108D依靠高達(dá)400MHz主頻的M4F高級(jí)密鑰管理功能

發(fā)布時(shí)間:2021/4/20 8:21:32 訪問(wèn)次數(shù):945

安全加密引擎提供對(duì)稱與非對(duì)稱的加密/解密、哈希函數(shù)、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器(TRNG)和高級(jí)密鑰管理功能,包括密鑰生成功能和MCU硬件相關(guān)的唯一密鑰封裝功能。

如未遵循正確的訪問(wèn)協(xié)議,訪問(wèn)管理電路將關(guān)閉加密引擎,內(nèi)置專用RAM可確保明文密鑰永遠(yuǎn)不會(huì)暴露于任何CPU或外設(shè)總線。

瑞薩RA產(chǎn)品家族所獲的認(rèn)證很好證明了安全標(biāo)準(zhǔn)與行業(yè)息息相關(guān)。OEM廠商越來(lái)越意識(shí)到認(rèn)證設(shè)備作為有效風(fēng)險(xiǎn)管控工具并與多種設(shè)備認(rèn)證保持一致的價(jià)值所在。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S, 70 S

下降時(shí)間: 2.4 ns, 3.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.4 ns, 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns, 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 1.8 ns, 5 ns

零件號(hào)別名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

單位重量: 101.600 mg

芯片RK2108D,采用28nm工藝設(shè)計(jì),雙核架構(gòu),具備高主頻、大內(nèi)存、低功耗的特點(diǎn)。

針對(duì)智能穿戴產(chǎn)品在功耗、響應(yīng)速度、語(yǔ)音識(shí)別及操作系統(tǒng)適配的產(chǎn)品需求上,瑞芯微RK2108D方案實(shí)現(xiàn)了顯著有效的技術(shù)優(yōu)化。

同時(shí)經(jīng)實(shí)測(cè),在深度待機(jī)模式下,芯片功耗為0。

從深度待機(jī)到喚醒亮屏,其他方案通常需要約300-600ms,RK2108D依靠高達(dá)400MHz主頻的M4F,僅需約200ms,用時(shí)縮短約30%,提供更流暢便捷的用戶體驗(yàn)。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

安全加密引擎提供對(duì)稱與非對(duì)稱的加密/解密、哈希函數(shù)、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器(TRNG)和高級(jí)密鑰管理功能,包括密鑰生成功能和MCU硬件相關(guān)的唯一密鑰封裝功能。

如未遵循正確的訪問(wèn)協(xié)議,訪問(wèn)管理電路將關(guān)閉加密引擎,內(nèi)置專用RAM可確保明文密鑰永遠(yuǎn)不會(huì)暴露于任何CPU或外設(shè)總線。

瑞薩RA產(chǎn)品家族所獲的認(rèn)證很好證明了安全標(biāo)準(zhǔn)與行業(yè)息息相關(guān)。OEM廠商越來(lái)越意識(shí)到認(rèn)證設(shè)備作為有效風(fēng)險(xiǎn)管控工具并與多種設(shè)備認(rèn)證保持一致的價(jià)值所在。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S, 70 S

下降時(shí)間: 2.4 ns, 3.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.4 ns, 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns, 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 1.8 ns, 5 ns

零件號(hào)別名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

單位重量: 101.600 mg

芯片RK2108D,采用28nm工藝設(shè)計(jì),雙核架構(gòu),具備高主頻、大內(nèi)存、低功耗的特點(diǎn)。

針對(duì)智能穿戴產(chǎn)品在功耗、響應(yīng)速度、語(yǔ)音識(shí)別及操作系統(tǒng)適配的產(chǎn)品需求上,瑞芯微RK2108D方案實(shí)現(xiàn)了顯著有效的技術(shù)優(yōu)化。

同時(shí)經(jīng)實(shí)測(cè),在深度待機(jī)模式下,芯片功耗為0。

從深度待機(jī)到喚醒亮屏,其他方案通常需要約300-600ms,RK2108D依靠高達(dá)400MHz主頻的M4F,僅需約200ms,用時(shí)縮短約30%,提供更流暢便捷的用戶體驗(yàn)。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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