SiPM的高內(nèi)部增益固態(tài)盤670p采用最新的QLC技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/21 13:26:21 訪問(wèn)次數(shù):311

SiPM的高內(nèi)部增益使其靈敏度可達(dá)到單光子水平，該功能與高PDE結(jié)合使用，可以檢測(cè)最微弱的返回信號(hào)。因此，即使是低反射目標(biāo)，也能探測(cè)到更遠(yuǎn)的距離。

SiPM技術(shù)近年來(lái)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，由于其獨(dú)特的功能集，已成為廣闊市場(chǎng)深度傳感應(yīng)用的首選傳感器。SiPM能在明亮的陽(yáng)光條件下進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)距時(shí)提供最佳的信噪比性能。

其他優(yōu)勢(shì)包括較低的電源偏置和較低的溫度變化敏感性，使其成為使用傳統(tǒng)雪崩光電二極管(APD)的系統(tǒng)的理想升級(jí)產(chǎn)品。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包裝

管件

零件狀態(tài)

停產(chǎn)

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

12.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

9 毫歐 @ 12.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

8-SO

封裝/外殼

8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

78nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

2240pF @ 15V

英特爾固態(tài)盤670p采用最新的QLC技術(shù)，單盤容量最高可達(dá)2TB，能夠?yàn)槿粘Ｓ?jì)算和主流游戲提供顯著的價(jià)值。與上一代英特爾®QLC 3D NAND固態(tài)盤相比，670p提供更高的性能，包括2倍順序讀取和20%的耐久性提升。

為滿足當(dāng)今最常見的計(jì)算需求，英特爾這款最新的客戶端硬盤同時(shí)針對(duì)低隊(duì)列深度和混合工作負(fù)載進(jìn)行了調(diào)優(yōu)，實(shí)現(xiàn)了性能、成本和功耗的恰當(dāng)平衡。

英特爾的QLC固態(tài)盤基于浮柵技術(shù)所打造，數(shù)據(jù)保持力是這一技術(shù)的一大關(guān)鍵性競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

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