新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列，將激光雷達 (LiDAR) 傳感器能力擴展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規(guī)的SiPM產品，應對汽車行業(yè)及其他領域LiDAR應用中不斷增長的需求。

ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列，基于安森美半導體領先市場的RDM工藝，可實現對近紅外 (NIR)光的高靈敏度，從而在905納米(nm)處達到領先業(yè)界的18.5％的光子探測效率 (PDE)。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2.7 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.3 V    

Qg-柵極電荷:    30 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

晶體管類型:   1 N-Channel  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   60 S  

下降時間:   5.4 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   4.8 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   25 ns  

典型接通延遲時間:   7.7 ns  

零件號別名:  BSC0702LS SP001589462  

單位重量:  118.510 mg

基于144層QLC（四層單元）技術的客戶端固態(tài)盤——英特爾®固態(tài)盤670p。

固態(tài)盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術，每裸片容量為128GB。與上一代固態(tài)盤相比，英特爾固態(tài)盤670p的讀取性能提高了2倍，隨機讀取性能提高了38%，時延降低多達50%。

通過提供峰值性能、最高2TB的容量和增強的可靠性，英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案。

固態(tài)盤670p采用纖薄的M.2 80毫米外形規(guī)格，非常適合輕薄型筆記本電腦和臺式機。

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