905納米(nm)的光子探測(cè)效率(PDE)纖薄的M.2 80毫米
發(fā)布時(shí)間:2021/4/21 13:29:34 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):973
新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列,將激光雷達(dá) (LiDAR) 傳感器能力擴(kuò)展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場(chǎng)上首款符合車(chē)規(guī)的SiPM產(chǎn)品,應(yīng)對(duì)汽車(chē)行業(yè)及其他領(lǐng)域LiDAR應(yīng)用中不斷增長(zhǎng)的需求。
ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列,基于安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先市場(chǎng)的RDM工藝,可實(shí)現(xiàn)對(duì)近紅外 (NIR)光的高靈敏度,從而在905納米(nm)處達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的18.5%的光子探測(cè)效率 (PDE)。
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S
下降時(shí)間: 5.4 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.7 ns
零件號(hào)別名: BSC0702LS SP001589462
單位重量: 118.510 mg
固態(tài)盤(pán)670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù),每裸片容量為128GB。與上一代固態(tài)盤(pán)相比,英特爾固態(tài)盤(pán)670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時(shí)延降低多達(dá)50%。
通過(guò)提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性,英特爾固態(tài)盤(pán)670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲(chǔ)解決方案。
固態(tài)盤(pán)670p采用纖薄的M.2 80毫米外形規(guī)格,非常適合輕薄型筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列,將激光雷達(dá) (LiDAR) 傳感器能力擴(kuò)展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場(chǎng)上首款符合車(chē)規(guī)的SiPM產(chǎn)品,應(yīng)對(duì)汽車(chē)行業(yè)及其他領(lǐng)域LiDAR應(yīng)用中不斷增長(zhǎng)的需求。
ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列,基于安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先市場(chǎng)的RDM工藝,可實(shí)現(xiàn)對(duì)近紅外 (NIR)光的高靈敏度,從而在905納米(nm)處達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的18.5%的光子探測(cè)效率 (PDE)。
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S
下降時(shí)間: 5.4 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.7 ns
零件號(hào)別名: BSC0702LS SP001589462
單位重量: 118.510 mg
固態(tài)盤(pán)670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù),每裸片容量為128GB。與上一代固態(tài)盤(pán)相比,英特爾固態(tài)盤(pán)670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時(shí)延降低多達(dá)50%。
通過(guò)提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性,英特爾固態(tài)盤(pán)670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲(chǔ)解決方案。
固態(tài)盤(pán)670p采用纖薄的M.2 80毫米外形規(guī)格,非常適合輕薄型筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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