新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列，將激光雷達(dá) (LiDAR) 傳感器能力擴(kuò)展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場(chǎng)上首款符合車(chē)規(guī)的SiPM產(chǎn)品，應(yīng)對(duì)汽車(chē)行業(yè)及其他領(lǐng)域LiDAR應(yīng)用中不斷增長(zhǎng)的需求。

ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列，基于安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先市場(chǎng)的RDM工藝，可實(shí)現(xiàn)對(duì)近紅外 (NIR)光的高靈敏度，從而在905納米(nm)處達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的18.5％的光子探測(cè)效率 (PDE)。

產(chǎn)品種類(lèi):    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2.7 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.3 V    

Qg-柵極電荷:    30 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

晶體管類(lèi)型:   1 N-Channel  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   60 S  

下降時(shí)間:   5.4 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   4.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類(lèi)別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   25 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   7.7 ns  

零件號(hào)別名:  BSC0702LS SP001589462  

單位重量:  118.510 mg

固態(tài)盤(pán)670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù)，每裸片容量為128GB。與上一代固態(tài)盤(pán)相比，英特爾固態(tài)盤(pán)670p的讀取性能提高了2倍，隨機(jī)讀取性能提高了38%，時(shí)延降低多達(dá)50%。

通過(guò)提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性，英特爾固態(tài)盤(pán)670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲(chǔ)解決方案。

固態(tài)盤(pán)670p采用纖薄的M.2 80毫米外形規(guī)格，非常適合輕薄型筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。

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