緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè)SHARC產(chǎn)品的指令集功能
發(fā)布時(shí)間:2021/4/23 23:52:24 訪問次數(shù):255
SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè),同時(shí)保持了以前SHARC產(chǎn)品的指令集功能.
SHARC+處理器集成了豐富的業(yè)界一流系統(tǒng)外設(shè)和存儲(chǔ)器,是需要相似于精簡(jiǎn)指令集(RISC)編程的應(yīng)用平臺(tái)的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號(hào)處理.這些應(yīng)用有多種市場(chǎng)包括汽車電子,專業(yè)音頻,以及需要高浮點(diǎn)性能的基于工業(yè)的應(yīng)用.
例如汽車電子市場(chǎng)的音頻放大器,音響主機(jī), ANC/RNC,后座娛樂設(shè)備, 數(shù)字駕駛艙以及消費(fèi)類電子市場(chǎng)的揚(yáng)聲器,條形音響,AVR, 會(huì)議系統(tǒng),混音控制臺(tái),麥克風(fēng)陣列和耳機(jī).
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
零件號(hào)別名: BSC320N20NS3 G SP000676410
單位重量: 122.210 mg
通過車輪周圍的多個(gè)設(shè)備連接,該模塊可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)載實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的發(fā)電,當(dāng)以65mph/105km/h的速度行駛時(shí),可實(shí)現(xiàn)1mW的平均連續(xù)功率輸出。
這種永久電源是利用一系列非感知傳感技術(shù)的數(shù)字化駕駛、道路和輪胎狀況的理想選擇。
利用壓電元件進(jìn)行路況和環(huán)境傳感,由于速度、轉(zhuǎn)彎和其他運(yùn)行條件的變化會(huì)導(dǎo)致該裝置的電動(dòng)勢(shì)特性發(fā)生變化,因此InWheelSense模塊可以通過分析壓電效應(yīng)產(chǎn)生的波形并利用這些功率變化來感測(cè)各種駕駛條件。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè),同時(shí)保持了以前SHARC產(chǎn)品的指令集功能.
SHARC+處理器集成了豐富的業(yè)界一流系統(tǒng)外設(shè)和存儲(chǔ)器,是需要相似于精簡(jiǎn)指令集(RISC)編程的應(yīng)用平臺(tái)的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號(hào)處理.這些應(yīng)用有多種市場(chǎng)包括汽車電子,專業(yè)音頻,以及需要高浮點(diǎn)性能的基于工業(yè)的應(yīng)用.
例如汽車電子市場(chǎng)的音頻放大器,音響主機(jī), ANC/RNC,后座娛樂設(shè)備, 數(shù)字駕駛艙以及消費(fèi)類電子市場(chǎng)的揚(yáng)聲器,條形音響,AVR, 會(huì)議系統(tǒng),混音控制臺(tái),麥克風(fēng)陣列和耳機(jī).
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
零件號(hào)別名: BSC320N20NS3 G SP000676410
單位重量: 122.210 mg
通過車輪周圍的多個(gè)設(shè)備連接,該模塊可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)載實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的發(fā)電,當(dāng)以65mph/105km/h的速度行駛時(shí),可實(shí)現(xiàn)1mW的平均連續(xù)功率輸出。
這種永久電源是利用一系列非感知傳感技術(shù)的數(shù)字化駕駛、道路和輪胎狀況的理想選擇。
利用壓電元件進(jìn)行路況和環(huán)境傳感,由于速度、轉(zhuǎn)彎和其他運(yùn)行條件的變化會(huì)導(dǎo)致該裝置的電動(dòng)勢(shì)特性發(fā)生變化,因此InWheelSense模塊可以通過分析壓電效應(yīng)產(chǎn)生的波形并利用這些功率變化來感測(cè)各種駕駛條件。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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