多路數(shù)字化儀表以及超聲波無損傷測試空間需求
發(fā)布時間:2021/4/24 13:17:41 訪問次數(shù):666
使用通過認證的RX65N MCU可幫助客戶更便捷地開發(fā)具備強大且可信賴安全功能的設備,有助于減少開發(fā)工作量,降低整體安全風險。
隨著越來越多的物聯(lián)網(wǎng)設備接入網(wǎng)絡,數(shù)據(jù)泄露、篡改及欺詐等惡意威脅的危險性越來越大,安全性相較以往變得更加重要。
RX MCU的CMVP 3級認證意味著客戶可在無需專用安全芯片的情況下在其產(chǎn)品中構(gòu)建強大安全性,這將有助于加快安全物聯(lián)網(wǎng)設備的開發(fā)。
分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
2.3 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 49μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
標準
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SuperSO8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
60V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
4400pF @ 30V
基本產(chǎn)品編號
BSC0702
工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.3V電源時的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.
主要用在IF寬帶解調(diào)器,醫(yī)療圖像,相陣列系統(tǒng),雷達,自適應天線通信接收器,無線電鏈接,無線局部回路,RF儀表,衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),多路數(shù)字化儀表以及超聲波無損傷測試.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
使用通過認證的RX65N MCU可幫助客戶更便捷地開發(fā)具備強大且可信賴安全功能的設備,有助于減少開發(fā)工作量,降低整體安全風險。
隨著越來越多的物聯(lián)網(wǎng)設備接入網(wǎng)絡,數(shù)據(jù)泄露、篡改及欺詐等惡意威脅的危險性越來越大,安全性相較以往變得更加重要。
RX MCU的CMVP 3級認證意味著客戶可在無需專用安全芯片的情況下在其產(chǎn)品中構(gòu)建強大安全性,這將有助于加快安全物聯(lián)網(wǎng)設備的開發(fā)。
分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
2.3 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 49μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
標準
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SuperSO8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
60V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
4400pF @ 30V
基本產(chǎn)品編號
BSC0702
工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.3V電源時的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.
主要用在IF寬帶解調(diào)器,醫(yī)療圖像,相陣列系統(tǒng),雷達,自適應天線通信接收器,無線電鏈接,無線局部回路,RF儀表,衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),多路數(shù)字化儀表以及超聲波無損傷測試.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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