FLIR C3-X/C5均內(nèi)置FLIR Ignite™ 云連接，可實現(xiàn)直接數(shù)據(jù)上傳、存儲和備份，因此您可以隨時在任何設(shè)備上查看圖像。

FLIR C5的功能與C3-X很類似，但是包含了更強大的169 x 120（19200像素）分辨率的熱像儀。

兩款熱像儀均采用FLIR MSX®（多波段動態(tài)成像），能夠從內(nèi)置可見光數(shù)碼相機鏡頭提取場景細節(jié)，并將其顯現(xiàn)于完整紅外圖像之中。

FLIR C3-X紅外熱像儀是一款3合1的工具，兼具紅外熱像儀、數(shù)碼相機和手電筒的功能。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S, 70 S

下降時間: 2.4 ns, 3.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 3.4 ns, 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns, 25 ns

典型接通延遲時間: 1.8 ns, 5 ns

零件號別名: BSC0921NDI SP000934748

單位重量: 101.660 mg

MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計。

作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計。

MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。