新型XeonTM處理器，工作頻率2.8GHz 和2.6GHz，用于雙向工作站和服務(wù)器平臺(tái)。

這種新產(chǎn)品比原計(jì)劃提前一個(gè)季度問世，有兩個(gè)512K字節(jié)的高速緩沖存儲(chǔ)器，采用Intel的0.13微米工藝制造。

Intel Xeon處理器平臺(tái)在性能和價(jià)值上繼續(xù)處于業(yè)界的領(lǐng)先地位，我們在世界范圍內(nèi)看到Intel平臺(tái)的偉大力量。

我們以比OEM和分銷商所期望的還要快的速度在設(shè)計(jì)和制造企業(yè)所要求的產(chǎn)品。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 34 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 3.2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4.2 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns

典型接通延遲時(shí)間: 6.7 ns

零件號(hào)別名: SP000311518 BSZ5N3MSGXT BSZ050N03MSGATMA1

單位重量: 38.320 mg

Intel計(jì)劃在2002年第四季度推出支持AGP 8x 的兩個(gè)芯片組，用于雙處理器和單處理器工作站。

兩個(gè)N-MOSFET和兩個(gè)蕭特基二極管封在一個(gè)SO-14封裝的器件IRF7335D1，在今天的雙MOSFET-蕭特基共封裝中，電流處理能力最大。

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