6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/24 16:43:14 訪問次數(shù):1255
CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)參考設(shè)計(jì),采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,以得到大功率密度電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC).
Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).
峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設(shè)計(jì)采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22A(Ta),88A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
3 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),36W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-6
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
1300pF @ 15V
出色的 ESD 保護(hù)能力,符合 IEC61000-4-2 四級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
可有效抑制無(wú)線通信所產(chǎn)生的TDMA噪聲
提高了無(wú)線通信接收器靈敏度
最大工作電壓為直流28V,實(shí)現(xiàn)大功率音頻輸出
新型AVRF101U6R8KT242產(chǎn)品擴(kuò)大了其用于音頻設(shè)備的貼片壓敏電阻產(chǎn)品陣容,并實(shí)現(xiàn)了ESD和EMI雙重保護(hù)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)參考設(shè)計(jì),采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,以得到大功率密度電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC).
Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).
峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設(shè)計(jì)采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22A(Ta),88A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
3 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),36W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-6
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
1300pF @ 15V
出色的 ESD 保護(hù)能力,符合 IEC61000-4-2 四級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
可有效抑制無(wú)線通信所產(chǎn)生的TDMA噪聲
提高了無(wú)線通信接收器靈敏度
最大工作電壓為直流28V,實(shí)現(xiàn)大功率音頻輸出
新型AVRF101U6R8KT242產(chǎn)品擴(kuò)大了其用于音頻設(shè)備的貼片壓敏電阻產(chǎn)品陣容,并實(shí)現(xiàn)了ESD和EMI雙重保護(hù)。
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熱門點(diǎn)擊
- 更寬的溫度窗口及MIL-STD-810H沖擊
- 6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)
- 高精度ToF芯片在-20至+70攝氏度的環(huán)境
- 27個(gè)指令和七個(gè)一致的編址模式雙數(shù)據(jù)找取技術(shù)
- 驅(qū)動(dòng)功率高出3倍(高達(dá)7A)的工業(yè)步進(jìn)電機(jī)和
- 16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器(SA
- 快速PWM調(diào)光的邏輯兼容DIM輸入精密的基準(zhǔn)
- 鉑電阻元件的電阻會(huì)根據(jù)溫度變化進(jìn)行線性調(diào)整
- 矩形波導(dǎo)尺寸WRD-180多層帶通濾波器LF
- 58個(gè)通道的GPIO以及運(yùn)動(dòng)控制專用支持更多
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