ESD保護器件，專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網(wǎng)絡(IVN)。

隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰(zhàn)。

Nexperia的TrEOS技術優(yōu)化了ESD保護的三大關鍵參數(shù)（信號完整性、系統(tǒng)保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 160 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 137 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 33 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 22 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 29 ns

典型接通延遲時間: 28 ns

零件號別名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1

單位重量: 1.600 g

器件采用MMIC技術，具備研發(fā)部署大型雷達系統(tǒng)所需的小型化、高效率、高可靠性、以及優(yōu)異的功率密度等特點，可有效應對大型雷達所面臨的挑戰(zhàn)。

有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運用于大型機載平臺上，同時在陸地和海事細分市場也有采用。

AESA 系統(tǒng)使用有源陣列，每個陣列擁有數(shù)百甚至數(shù)千根天線。每一根天線均有其各自的相位和增益控制。天線元件的間距通常為半波長，以減少近場中的暴露。