具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實(shí)現(xiàn)較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導(dǎo)率，進(jìn)而充分發(fā)揮GaN 的特性。

單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設(shè)備中，進(jìn)而提高電路密度。

制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:11 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數(shù):9 mV/C Zz - 齊納阻抗:20 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

帶SPC接口的霍爾效應(yīng)3D位置傳感器允許主動雜散場補(bǔ)償

360度，抗雜散場角度測量，使該傳感器適合轉(zhuǎn)向角度位置檢測*

MicronasmasterHAL®傳感器系列的產(chǎn)品組合擴(kuò)展，發(fā)布了新的抗雜散場3D HAL®位置傳感器HAL 3970。

該傳感器適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，具有從0°到360°的高精度角度檢測，線性位置檢測，并使用SPC輸出來傳輸計算的位置信息。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）