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功率FET的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器和2個(gè)低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/25 19:31:46 訪問(wèn)次數(shù):809

PMIC集成有5個(gè)電壓軌、1個(gè)序列發(fā)生器和7個(gè)可配置通用IO (GPIO),并采用非常小的2.18 × 2.58mm 30引腳WLCSP封裝。

GPIO支持兩級(jí)輸入電壓監(jiān)測(cè),可針對(duì)中斷、重置、外部使能和睡眠/深度睡眠模式等不同的功能和目的進(jìn)行配置。

每個(gè)PMIC包含3個(gè)集成了功率FET的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器和2個(gè)低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。所有這些元件均可通過(guò)I2C接口輕松配置。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

制造商

Infineon Technologies

系列

TrenchStop®

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

IGBT 類型

NPT,溝槽型場(chǎng)截止

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)

2.05V @ 15V,10A

開(kāi)關(guān)能量

430μJ

輸入類型

標(biāo)準(zhǔn)

25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值

12ns/215ns

測(cè)試條件

400V,10A,23 歐姆,15V

工作溫度

-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝

PG-TO263-3-2

電壓 - 集射極擊穿(最大值)

600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

20A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)

30A

功率 - 最大值

110W

柵極電荷

62nC

基本產(chǎn)品編號(hào)

IGB10N60

基于Arm®SecurCore® SC300™的ST4SIM-200M eSIM方案(經(jīng)CC EAL5+ 以及GSMASGP.02 v3.2認(rèn)證)的B-L462E-CELL1套件主要用來(lái)防御蜂窩連接攻擊,ST4SIM可以建立起一個(gè)Root-of-Trust小程序來(lái)提高網(wǎng)絡(luò)攻擊防御功能。

HAL3970的片上信號(hào)處理計(jì)算出磁場(chǎng)分量的角度,并將該值轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出值。該傳感器具有強(qiáng)大的DSP和嵌入式微控制器。

DSP負(fù)責(zé)快速信號(hào)處理,而微控制器則負(fù)責(zé)接口配置和功能安全相關(guān)任務(wù)的監(jiān)控。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

PMIC集成有5個(gè)電壓軌、1個(gè)序列發(fā)生器和7個(gè)可配置通用IO (GPIO),并采用非常小的2.18 × 2.58mm 30引腳WLCSP封裝。

GPIO支持兩級(jí)輸入電壓監(jiān)測(cè),可針對(duì)中斷、重置、外部使能和睡眠/深度睡眠模式等不同的功能和目的進(jìn)行配置。

每個(gè)PMIC包含3個(gè)集成了功率FET的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器和2個(gè)低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。所有這些元件均可通過(guò)I2C接口輕松配置。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

制造商

Infineon Technologies

系列

TrenchStop®

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

IGBT 類型

NPT,溝槽型場(chǎng)截止

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)

2.05V @ 15V,10A

開(kāi)關(guān)能量

430μJ

輸入類型

標(biāo)準(zhǔn)

25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值

12ns/215ns

測(cè)試條件

400V,10A,23 歐姆,15V

工作溫度

-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝

PG-TO263-3-2

電壓 - 集射極擊穿(最大值)

600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

20A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)

30A

功率 - 最大值

110W

柵極電荷

62nC

基本產(chǎn)品編號(hào)

IGB10N60

基于Arm®SecurCore® SC300™的ST4SIM-200M eSIM方案(經(jīng)CC EAL5+ 以及GSMASGP.02 v3.2認(rèn)證)的B-L462E-CELL1套件主要用來(lái)防御蜂窩連接攻擊,ST4SIM可以建立起一個(gè)Root-of-Trust小程序來(lái)提高網(wǎng)絡(luò)攻擊防御功能。

HAL3970的片上信號(hào)處理計(jì)算出磁場(chǎng)分量的角度,并將該值轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出值。該傳感器具有強(qiáng)大的DSP和嵌入式微控制器。

DSP負(fù)責(zé)快速信號(hào)處理,而微控制器則負(fù)責(zé)接口配置和功能安全相關(guān)任務(wù)的監(jiān)控。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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