600V高低邊驅(qū)動器及專為GaN設(shè)計(jì)的600V高低邊驅(qū)動芯片
發(fā)布時間:2021/4/19 22:41:18 訪問次數(shù):1161
寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,一般有三種應(yīng)對方案。通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。
但這樣處理有副作用,降低開關(guān)速度就會增加轉(zhuǎn)換時間,所以會增加開關(guān)損耗,而在一些應(yīng)用中如果對響應(yīng)時間有要求,降低開關(guān)速度的方法就未必適合。
盡可能優(yōu)化PCB布局布線,減小寄生參數(shù),從而減小負(fù)壓峰值,這是系統(tǒng)設(shè)計(jì)中常見的方法,但需要硬件工程師有非常豐富的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),而在一些設(shè)計(jì)條件限制下,也可能無法優(yōu)化PCB布局布線.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.8 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 10 nC, 12.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S, 36 S
開發(fā)套件: -
下降時間: 3 ns, 2.2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3.8 ns, 2.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns, 15 ns
典型接通延遲時間: 4.7 ns, 3.3 ns
零件號別名: BSC924NDIXT SP000934750 BSC0924NDIATMA1
單位重量: 96.440 mg

除了耐受負(fù)壓能力強(qiáng),NSD1025還提供欠壓鎖定功能,保持輸出低電平直到電源電壓進(jìn)入工作范圍內(nèi),而高低閾值之間的遲滯功能也提供了更出色的抗干擾能力。
在NSD1025之后,納芯微還將推出600V高低邊驅(qū)動器,以及專為GaN設(shè)計(jì)的600V高低邊驅(qū)動芯片?蔀楣こ處熢诠I(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中的抗干擾設(shè)計(jì),帶來更好的解決方案。
STM32U5微控制器將會更受歡迎,客戶利用這款產(chǎn)品能夠開發(fā)出新的具有高能效、高性能、高網(wǎng)絡(luò)安全的智能消費(fèi)電子和工業(yè)產(chǎn)品。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,一般有三種應(yīng)對方案。通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。
但這樣處理有副作用,降低開關(guān)速度就會增加轉(zhuǎn)換時間,所以會增加開關(guān)損耗,而在一些應(yīng)用中如果對響應(yīng)時間有要求,降低開關(guān)速度的方法就未必適合。
盡可能優(yōu)化PCB布局布線,減小寄生參數(shù),從而減小負(fù)壓峰值,這是系統(tǒng)設(shè)計(jì)中常見的方法,但需要硬件工程師有非常豐富的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),而在一些設(shè)計(jì)條件限制下,也可能無法優(yōu)化PCB布局布線.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.8 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 10 nC, 12.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S, 36 S
開發(fā)套件: -
下降時間: 3 ns, 2.2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3.8 ns, 2.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns, 15 ns
典型接通延遲時間: 4.7 ns, 3.3 ns
零件號別名: BSC924NDIXT SP000934750 BSC0924NDIATMA1
單位重量: 96.440 mg

除了耐受負(fù)壓能力強(qiáng),NSD1025還提供欠壓鎖定功能,保持輸出低電平直到電源電壓進(jìn)入工作范圍內(nèi),而高低閾值之間的遲滯功能也提供了更出色的抗干擾能力。
在NSD1025之后,納芯微還將推出600V高低邊驅(qū)動器,以及專為GaN設(shè)計(jì)的600V高低邊驅(qū)動芯片?蔀楣こ處熢诠I(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中的抗干擾設(shè)計(jì),帶來更好的解決方案。
STM32U5微控制器將會更受歡迎,客戶利用這款產(chǎn)品能夠開發(fā)出新的具有高能效、高性能、高網(wǎng)絡(luò)安全的智能消費(fèi)電子和工業(yè)產(chǎn)品。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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