三星電子(Samsumg)利用一種具有結晶態(tài)和非結晶態(tài)互變特性的相變化膜，日前成功開發(fā)世界上首個64兆PRAM（相位隨機存儲器）芯片。

    PRAM是繼現(xiàn)有的動態(tài)存儲器之后的新一代半導體產(chǎn)品，目前世界半導體企業(yè)都在開發(fā)這種新型存儲器。它是指在硅片上添加新物質，使制造的半導體同時具有動態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)的高速處理性能和靜態(tài)隨機存取存儲芯片(SRAM)的斷電后信息儲存功能。專家估計，今后幾年內PRAM市場規(guī)模將達460億美元大。

    三星電子方面稱，PRAM制造工藝比內存芯片較為簡單，在現(xiàn)有的半導體生產(chǎn)線即可生產(chǎn)，具有較強的成本競爭力。據(jù)介紹，PRAM主要有如下特點：在2.5伏的低電壓下即可工作； 在斷電情況下不丟失信息，其工作速度、耐用性和集成度均顯著優(yōu)于目前的存儲器；寫入速度達到120納秒(ns)、讀出速度為60納秒(ns)；比SRAM耐用性提高1000倍；85度以上的環(huán)境中正常保存數(shù)據(jù)2年以上。

    三星電子表示，公司計劃在進一步完善相位隨機存儲器的性能后，于2006年將這種存儲器投入商業(yè)化生產(chǎn)。

    （轉自  綜合韓電）